可以反应。工业上用碳在电炉内还原二氧化硅制得粗硅。用氢气还原三氯氢硅或四氯化硅可制得高纯度硅。 粗硅的制取:SiO2 + 2C ==高温== Si + 2CO(气体) 粗硅转变为纯硅:Si + 2Cl2 ==△== SiCl4 SiCl4 + 2H2== 高温 可以反应。工业上用碳在电炉内还原二氧化硅制得粗硅。用氢气还原三氯氢硅或四...
生活娱乐 搜试试 续费VIP 立即续费VIP 会员中心 VIP福利社 VIP免费专区 VIP专属特权 客户端 登录 百度文库 期刊文献 会议sio2和h2so4反应sio2和h2so4反应 二氧化硅(SiO2)和硫酸(H2SO4)不会发生反应。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
h2sio2是什么化学名称？H2SIO2 是酸 应该叫偏硅酸,我不知道怎么称呼它。si的化合价是正二价!
往CF4等离子体中加入少量的H2将导致硅和二氧化硅的刻蚀速率同时减慢。在中等的H2浓度下,H和F反应生成HF,HF刻蚀SiO2但并不刻蚀Si。同时,各向异性的不挥发性碳氟化合物薄膜的淀积过程得到增强。另一方面,SiO2表面反应生成的CO和CO2可以从系统中抽去,在Si表面确没有这些反应。因此,随着H2的加入,刻蚀SiO2和Si的选择比...
a H2SiO2 + b H2O = c SiO2 + d H3O Step 2: Create a System of Equations Create an equation for each element (H, Si, O) where each term represents the number of atoms of the element in each reactant or product. H: 2a + 2b = 0c + 3d Si: 1a + 0b = 1c + 0d O: 2a ...
听着有些别扭,但是这条规律是判断物质氧化还原性的基准.该反应中,还原剂是CO,还原产物是H2.因此可以知道还原性CO>H2,10,CO2 CO>H2 CO + H2O (高温）= CO2 + H2,1,氧化性SO2大于CO2大于SIO2 还原性H2大于CO,0,SiO2,CO2,SO2氧化性,H2,CO还原性比较 怎么比较 ...
SiC + 2H2O → SiO2 + 2H2 + CO 在湿氧气氛中,SiC与水蒸气发生反应生成SiO2、H2和CO。湿氧化条件下的反应通常会产生一些氢气和一氧化碳,同时形成SiO2层。 这些基本的氧化反应式描述了SiC在不同氧化条件下与氧化气体的反应过程。在SiC/SiO2界面处,碳的主要存在形式分以下几种。
首先，在稍加改动文献的基础上，利用CrCl3和H2BDC制备MIL-101。随后，采用经典的Sto¨ ber法利用CTAB作为介孔模板在MOF的表面包覆了一层介孔二氧化硅，得到MOF@介孔SiO2核壳结构（MOF@mSiO2-CS）。为防止MOF结构在煅烧过程中被破坏，采用浸渍法去除CTAB软模板而不是煅烧法。浸渍之后，FTIR跟XPS表征结果证明表面CTAB被...
GeH4(气)+N2O (气)→GeO2(固) + 2N2(气) + 2H2(气) 对于PECVD技术生长SiO2膜的反应机理,通常认为有两种生长模式:一种生长模式是在等离子体中直接生成SiO2,然后吸附在面;另一种生长模式是通过表面反应生成的SiO2,通常是先成核,核生长成小岛,小岛生长成大岛,大岛相互合并,最终形成连续完整的薄膜。
B正确;C项、由生产高纯硅的流程示意图可知,H2和HCI既是反应物,又是生成物,所以可重复利用的物质是H2和HCl,C正确;D项、反应①为SiO2+2C高温Si+2CO↑,反应②Si(粗)+3HCl 553K-573KSiHCI3+H2,反应③SiHCI3+H2 1380KSi(粗)+3HCI,三个方程式中元素的化合价均发生变化,均属于氧化还原反应,D错误;故本题...