美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术,包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线,与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电...
sinton WCT-120仪器利用QSPC和瞬态光电导衰变技术,测量晶圆的寿命在10ns至10mm之间。QSSPC技术是监测多晶晶圆、掺杂扩散和低寿命样品的理想技术。瞬态光电导衰变技术是在不同处理步骤中监测高寿命样品的理想方法。 sinton WCT120寿命周期测量还产生了暗示的开路电压(相对于照明)曲线,该曲线可与太阳能电池工艺的每个阶段...
WCT120是放置在桌面上的硅片寿命测量系统,适用于器件研究和工业过程控制,价格实惠。WCT120MX适用于测试230mm的大硅片 WCT120和WCT-120MX仪器展示了我们独特的测量和分析技术,包括 Sinton Instruments公司在1994年开发的遵从SEMI标准的准稳态光电导( QSSPC)寿命测量方法 WCτ-120仪器使用 QSSPC和瞬态光电导衰减技术,可...
型号 WCT-120MX 美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术,包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线,与最后的I-V曲线是可比...
WCT-120独特的QSSPC测量法，可以生成与光照IV曲线类似的开路电压曲线，这一曲线能在电池生产的任意阶段获取。通过结合最终的IV曲线，这一工具能对电池制作过程进行数据监控和参数优化。其应用广泛，不仅可用于监控和优化制造工艺，还能用于检测原始硅片的性能、评估表面钝化和发射极扩散掺杂的质量，以及通过得到的类似IV的...
少子寿命测试仪WCT-120&Suns-Voc(WCT-120的标准附属设备)的主要功能 1)量测得到硅片样品在注入浓度下的符合SEMI最新标准PV13-0211的经过校准后的复合少子寿命值即Tau@Δn 2) 量测得到硅片样品的电阻率 Resistivity 3) 量测得到硅片样品的陷阱密度Trap density ...
Sinton WCT-120TS系统功能 主要应用: 在一定温度范围内测量硅晶圆中的载流子复合寿命。 其他应用: —监控初始材料质量 —检测晶圆加工过程中的重金属污染一评估表面钝化和发射极掺杂剂扩散 —使用隐含的I-V测量评估过程引起的分流 源自:深圳市湾边贸易有限公司,图文仅供参考。
美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪采用了准稳定态光电导(QSSPC)测量方法和分析技术。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应、表面复合效应等缺陷情况。WCT在效率大于20%的超高效太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产...
规格: WCT-120 品牌: Sinton Instrument 加工定制: 否 商品编号(bn): WCT-120 分类(cat_id): 少子寿命测试仪 测量原理: QSSPC(准稳态光电导) 少子寿命测量范围: 100 ns-10 ms 测试模式: QSSPC,瞬态,寿命归一化分析 电阻率测量范围: 3–600Ohms/s 注入范围: 1013-1016cm-3 感测器范围...