由于不同的 pn 结型光电探测器的参数各异，因此仿真曲线也各不相同。下面是一种典型的 pn 结型光电探测器的 IV 特性曲线和效率曲线，使用 Silvaco TCAD 进行仿真。IV 特性曲线（反向偏置 Vr = -5V）：效率曲线（光功率 vs 探测器电压）：![Ef...
若在此湿氧氧化工艺的基础上继续进行后续工序,会影响NMOS阈值电压,从而影响其转移特性曲线,其转移特性曲线变化结果如下: 此NMOS阈值电压提取结果如下: EXTRACT> extract name="nvt"(xintercept(maxslope(curve(abs(v."gate"), abs(i."drain")))- abs(ave(v."drain"))/2.0) nvt=-0.0316666 可见其阈值电压...
solve vanode=0.1 vstep=0.1 vfinal=5 name=anode #画出IV特性曲线 tonyplot cb02.log #退出 quit 图2为普通耐压层功率二极管的仿真结构。正向I-V特性曲线如图3所示,导通电压接近0.8V。 图2普通耐压层功率二极管的仿真结构 图3普通耐压层功率二极管的正向I-V特性曲线 运用雪崩击穿的碰撞电离模型,加反向偏压,刚...
正向I-V特性曲线如图3所示,导通电压接近0.8V。1E9图2普通耐压层功率二极管的仿真结构ATLAStn Irm ce|:iII h图3普通耐压层功率二极管的正向I-V特性曲线运用雪崩击穿的碰撞电离模型,加反向偏压,刚开始步长小一点,然后逐渐加大步长。solve 5、 vano de=-0.1 vstep=-0.1 vfin al=-5 n ame=a nodesolve vano de...
1.用Anthena构建一个NMOS管道要求沟通长度不小于0.阈值电压为-0.5v 至 1V在此之间,应说明如何在模拟结果中调整阈值电压。 2.工艺模拟过程要求提取S/D结结深度、阈值电压、沟表面混合浓度S/D薄层电阻等参数。 3.要求进行器件模拟NMOS输出特性曲线族和特定漏极电压下的转移特性曲线,并从中提取MOS管的阈值电压和β...
solve vanode=0.1vstep=0.1 vfinal=5name=anode #画出IV特性曲线 tonyplot cb02.log #退出 quit 图2为普通耐压层功率二极管的仿真结构。正向I-V特性曲线如图3所示,导通电压接近0.8V。 图2普通耐压层功率二极管的仿真结构 图3普通耐压层功率二极管的正向I-V特性曲线 运用雪崩击穿的碰撞电离模型,加反向偏压,刚开...
有偿求助pin光电探..模拟PIN结构光电探测器的光电特性(软件不受限制)。⚫ 模拟I-V特性,并显示从-5V到1.5V的I-V曲线。⚫根据仿真结果计算了在-5V偏压下的暗电流和响应度。I——输出光电流V——p-i-n结构两
(abs(i.“drain”)))-(1.0/max(abs(v.“gate”))-($“vt”))) 在开始仿真之前,我们需要使用Tonyplot语句将仿真结果绘制出来。为了自动绘制出Id~Vgs曲线,只要在最后一条Extract语句后简单地输入如下的TONYPLOT语句即可:tonyplot nmos1.log 下面开始仿真。点击Deckbuild控制栏上的run键运行器件仿真程序。 仿真完成...
- 根据得到的 I-V 曲线,计算出每一点的亚阈值摆幅。 5. 优化与分析: - 分析亚阈值摆幅的结果,评估其性能是否满足设计要求。 - 如果需要改善性能,可以通过调整器件参数(如氧化层厚度、掺杂浓度等)或改变结构(如 FinFET、SOI 结构等)来进行优化。 6. 报告生成: - 将结果整理成报告,包括实验条件、设备参数...
Atlas器件仿真步骤 •启动Atlas软件•网格的定义•材料区域的定义•电极、掺杂、材料特性和模型特性等的定义 •器件输出特性（I-V曲线）的仿真 •用tonyplot输出仿真结果 启动Atlas软件 在LINUX系统下，输入deckbuild–as&进入Atlas操作界面。Goatlas开始运行。网格的定义 网格的定义 x.meshloc=0x.meshloc=1x...