19. 在“模型生成器”窗口中，在I-V曲线上“全局1”上单击鼠标右键，然后选择“副本”。 在“模型生...
有次模拟快充工况,正极耳附近居然出现了紫色的低电势区( ️.0V),活像块电子沙漠。后来用粒子群算法优化极耳设计,生生把危险区域压缩了62%。 参数标定方面有个血泪教训:千万别直接照搬文献的扩散系数!有次用了个D=1e-14的默认值,结果循环曲线像过山车。后来用EIS测试数据反向校准,发现真实值应该带个温度补偿...
16、Tr+70K;在描述列中输入 Device temperature .4继续输入下列常数:- 名称 dv ;表达式 0.1mV;描述 Voltage, soldering.- 名称 Vg;表达式 0V;描述 Voltage, film.- 名称 kf ;表达式 1e10S/mA2;描述 Film conduetanee5常数设置完成后,将会如下图所示:I He273 啖fl 1T“r加J+3.L5qa.lnrv阪I I4“ ...
将从正向偏压下的模型获得的所得J-V(电流密度与施加电压)曲线与文献中发现的实验测量进行比较介绍当金属与半导体接触时,在接触处形成势垒。这主要是金属和半导体之间功函数差异的结果。在该模型中,理想的肖特基接触用于对简单的肖特基势垒二极管的行为进行建模。使用“理想”这个词意味着在这里,表面状态,图像力降低,...
vcorr k Icorr 电解质 电流/物质输运 an- M+ cat+ an- cat+ M e- 阳极反应 (产生e-) e- e- 阴极反应 (消耗 e-) 电极 电子输运 e- 仿真智领创新 Simulating inspires innovation 化学腐蚀模块的应用模式 仿真智领创新 Simulating inspires innovation 电流分布接口 v k I– 欧姆...
由于同轴电缆在TEM模式（电场和磁场垂直于电缆的传播方向）下工作，因此，对二维横截面建模足以计算出场和阻抗。本例中，我们假设使用的是理想导体和相对介电常数εr=2.4的无损电介质。内外半径分别为0.5 mm和3.43 mm。传输线的特性阻抗Z0=V/I将导体之间的电压与通过传输线的电流联系起来。尽管模型不涉及计算势...
2.“几何”里面长度单位设置为所需单位，此处设置为“mm”。在“几何”菜单中点击“工作平面”，右击“模型开发器”中的“几何1”>“工作平面1”>“面几何”，选择“圆”，设置“圆”的参数：对象类型选为“曲线”，位置选择“中心”，“层”中的“层1”厚度设置为线圈的厚度，如1mm。3.关闭“工作平面”，...
对于抛物线问题,我们可以证明解的总体最大值或最小值是在初始时间或边界处遇到的。与稳态问题一样,源项的符号在这里起着决定性的作用。双曲线问题通常不遵循最大值/最小值原理。 考虑以下具有适当的初始和边界条件的抛物线方程 如果扩散张量D是正定的,那么对流速度v是无发散的,源项 ...
i0ref = x(7);Ei0 = x(8);DS = -0.07; Vinit = 3.219;%% Ambient Temperatures for Different ExperimentsTinf = 23.8495;%% Run COMSOL ModelLIT_A123_v1_0(Tinf,Cpel,Cpcc,keff,h1,ku,keref,alfa_ke,i0ref,Ei0,DS,Vinit)%% Load EXPERIMENTAL Dataload SRun4c.matRunM(tf+1:end,:) = ...
14、 ccdrtcn:Noimfll 由口】Nbrrrul sUbsje8.添加体积力,右键选择Laminar Flow ,0,5-0.20口上Log选才V Volume Force ,选中体积力作用区域1 (如图几何模型区域),在Volume force中输入体积力 Fx=rho*grav_xFy=rho*grav_y,i Ti UntidEd rrpn -rxi'/ = Globa D¥ nitonsVolume ForceDomain Selettiwi...