当社のSiC MOSFETモジュールは、高信頼性、広いゲート・ソース間電圧、高ゲートしきい値電圧を実現しています。さらに、高耐熱、低インダクタンスパッケージにより、SiCの性能を十分に引き出しています。 MOSFET / SiC MOSFETモジュール 東芝SiC MOSFETモジュールの特長 IGBTモジュールと比...
96%以上の方がメーカーから返答を受け取っています 一括見積もりの使い方 SiC MOSFETのカタログ 32件 Metoreeに登録されているSiC MOSFETが含まれるカタログ一覧です。無料で各社カタログを一括でダウンロードできるので、製品比較時に各社サイトで毎回情報を登録する手間を短縮することが...
SiCパワーデバイスの研究開発は、90年代前半に単結晶ウエハが市販されたのを契機に盛hになり、2002年前半には独Infineon社から600V-6AのSBD (Schottky Barrier Diode) が市販されるまでになつた。 この分野で出遅れていた日本でも5年間のNEDOプロジェクト「超低損失電力素子技術開発」がこの3月で...
Action クライアントがまだ使用可能であり、ネットワークが正常に稼働している場合は、エラーおよび FFDC ログを確認してこの問題の理由を判別してください。 CWSIC2013E: リモート・クライアントとの間の送受信時に通信エラーが発生しました: 例外 {0}。 Explanation サーバーがリモート...
世界的な脱炭素化の取り組みがパワー半導体の需要を牽引する中、インフィニオン テクノロジーズ(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、世界最大かつ最も競争力のある200mm 炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体工場となるマレーシアの新工場の第1フェーズを正式に開設しました。マレーシアのアンワル首相...
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開発チーム間の緊密なコミュニケーションにより、ついに顧客のニーズに応える優れたシステムの確立に成功しました。インバータのブースターステージには現在、量産中のEasyモジュールをベースとして、1200V CoolSiC™ MOSFETとCoolSiCダイオードが統合されて実装されています。このフルSiCソ...
パッドとウェハを回転させることに より両者間に相対運動を発生させ,加工を進めるポリ シング法の一つで,機械的な作用と化学的な作用を併 用して研磨する加工方法である.種々の研磨パッドと スラリーの最適化等により,従来難しいとされてきた スクラッチフリー加工を実現するとともに,過剰...
であり,高電力の GaNベースのスイッチング・ トランジスタを最適化されたドライバとともに1つのパッケー ジに収めています.また,過電流保護や過熱保護などの主 要な機能も統合し,電源デバイスとドライバとの間で寄生成 分やループ・インダクタンスを管理する困難を取り除いていま す....