IMYH200R024M1H采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 沟槽型 SiC MOSFET 采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 24 mΩSiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功...
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制造商编号 IMYH200R024M1H 制造商 Infineon(英飞凌) 唯样编号 A-IMYH200R024M1H 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 IMYH200R024M1H.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可...
摘要: 碳化硅(SiC)连续纤维增强的金属材料已经成功地用在航天发展计划中,它超过了原来的整体材料,满足了高比强度的设计指标.本文通过对这种材料应用情况的讨论来回顾碳化硅纤维增强金属材料的目前工艺水平.讨论的内容包括任务的必要性,计划目标以及应用这类材料的进展情况.关键词:...
Compared to silicon, SiC devices have higher power density and exhibit higher device junction temperature and thermal resistance. To enhance its thermal dissipation capability, a packaging structure of SiC power module was proposed based on graphite - embedded layered DBC, whose packaging model was als...
陈玲目前担任延平区摩卡小宝童装店法定代表人,同时担任南平市延平区永诚人力资源有限公司监事;二、陈玲投资情况:陈玲间接持股南平市延平区永毅人力资源有限公司、投资占比达28.8%;目前陈玲是3家企业最终受益人,包括其在投资南平市延平区永诚人力资源有限公司最终收益股份为48%,投资南平市延平区永毅人力资源有限公司最终收益...
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Performance and Reliability Review of 650 V and 900 V Silicon and SiC Devices: MOSFETs, Cascode JFETs and IGBTs Performance and Reliability Review of 650 V and 900 V Silicon and SiC Devices: MOSFETs, Cascode JFETs and IGBTs Silicon carbideSiliconMOSFETInsulated gate... JO Gonzalez,R Wu,S ...
SIC Marking Group is pleased to announce that SIVART SL became SIC Marking SL as of October 1st 2022. Sivart SL has been founded 20 years ago in Barcelona, Spain, starting as a specialist of traceability and vision software solutions. Throughout the years, Sivart enlarged its offer and has...