产品类别:碳化硅 (SiC)制造商 : INFINEON 数据手册 :IMBG65R163M1H.pdf封装: TO-263-7货期: 原装现货库存: 8652件数量: 询价 加入对比 技术参数 制造商 INFINEON 包装 原装包装 描述 MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device 封装/规格 TO-263-7 产品详情 IMBG65R163M1H 650 V CoolSiC...
在SiC 的各种晶体类型中,3C-SiC 键能最低,晶格自由能最高且易成核,但其处于亚稳态,具有较低的稳定性及易发生固相转移的特点。在接近平衡态的条件下,当退火温度分别为1200℃和2000℃时,3C-SiC 会发生相变,部分转变为6H-SiC 和4H-SiC,其中3 种晶型的键能大小顺序为3C-SiC<6H-SiC< 4H-SiC,键能越小越不稳...
During a recent experimental study, time dependent deformation was observed for a damaged Hi-NicalonTM reinforced, BN interphase, chemically vapor infiltrated SiC matrix composites subjected to static loading at room temperature. The static load curves resembled primary creep curves. In addition, acoustic...
Using this method we have obtained and discussed a conductivity as a function of doping level (N-N) for 6H-SiC Lely crystals. The conductivity ... AV Shturbin,IE Titkov,VY Panevin,... - Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 被引量: 0发表: 2000年 A ...
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SiC半导体材料概述 随着第一代和第二代半导体材料发展的成熟,目前在大规模使用的Si功率器件已经达到其性能瓶颈,Si功率器件的工作频率、功率、耐热温度、能效、耐恶劣环境及小型化等性能的提高面临难以逾越的瓶颈。 现代科技越来越多的领域需要高频率、高功率、耐高温、化学稳定性好的第三代半导体,而作为第三代半导体优...
假面骑士SIC系列的手办一直以狂野的风格著称,对于这系列的手办特色就突出一个另类和霸气,不过评价方面也是众口难调的,而如果说最值得入手的一款SIC系列手办,那么近期这款龙骑可以说得到了粉丝的普遍认可,一起来欣赏一下吧。 本次的假面骑士龙骑SIC手办是该系列的2.0,是由喜爱假面骑士龙骑的浅井真纪先生亲手设计的,获...
在宽禁带半导体材料中,SiC和GaN最受关注,由于其宽带隙特性可以进一步提高功率器件的性能,因此尤其受到功率半导体市场的青睐。据预测, SiC和GaN功率半导体市场规模将在2020年达到近10亿美元,主要推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏逆变器等方面的需求。市场的渗透也在增长,特别是在中国,肖特基二极管、MOSFET、结栅...
赛米控朱鹏程:SiC功率模块在新能源汽车应用上的挑战 每三十年,电力电子行业都迎来新的变革。我们估计在2020年碳化硅会迎来比较多的应用。 本文为励展博览集团及NE时代于8月28-29日联合主办的 "第二届AWC2019新能源汽车关键元器件技术大会" 演讲嘉宾的现场实录。
●2’’4H导电SiC晶片 ●2’’6H导电SiC晶片 ●3’’4H导电SiC晶片 ●2’’6H半绝缘SiC晶片 技术参数: 生长方法 MOCVD 晶体结构 六方 晶格常数 a=3.08 A c=15.08 A 排列次序 ABCACB 方向 生长轴或 偏<0001> 3.5 º 带隙 2.93 eV (间接) ...