配重168kg后,SIC一圈表现如何2025-01-26 16:40:24 内容由作者提供,不代表易车立场网友评论 登录易车,写下您的槽点 你好! 发布 0/500 万人购车 100 作品 375 粉丝 1 关注 + 关注 相关推荐 自动连播 监控实拍科目三考试现场,靠边停车遇到这样的情况该怎么办 Lazycat 未来跑车新纪元:莲花Theory1概念车,...
电动汽车、可再生能源系统和工业自动化等各种应用对高功率电子产品的需求推动了对 SiC 外延设备的需求,以生产用于功率器件制造的高质量 SiC 晶圆。 本文研究全球市场、主要地区和主要国家碳化硅(SiC)外延设备的销量、销售收入等,同时也重点分析全球范围内主要厂商(品牌)竞争态势,碳化硅(SiC)外延设备销量、价格、收入和市...
今年2月28日,士兰微电子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生产线项目(厦门士兰集宏一期)正式封顶。一期项目投资70亿元,力争在今年年底实现初步通线,明年一季度投产,到2028年底最终形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。项目的建成,将能较好的满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求,并有能力向光伏、储能、...
我国SiC MOSFET正在极速上车 我国SiC MOSFET增速和成长非常明显,同时在汽车领域也取得了重大的进展: 2023年7月10日,派恩杰宣布1700V/1Ω SiC MOSFET产品已成功应用于国内知名能源汽车企业的主驱逆变器辅助电源项目,并收获该知名新能源车企订单。 2023年7月10日,纳芯微宣布了他们的SiC MOSFET产品,全系列具有1200V的...
二元系化合物半导体材料GaAs/GaN/SiC 具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率等特性,能弥补 Si 材料的不足,在射频、功率器件、光电子及国防军工等应用领域优势显著。本文全面介绍了GaAs/GaN/SiC的技术优势和在5G、新能源汽车等各个新兴...
SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一,外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉积(CVD),本文简要介绍其生产过程及注意事项。 SiC有多种稳定的晶体多型(polytype)。因此,为了使获得的外延生长层能够继承SiC衬底的特定晶体多型,需要将衬底的原子三维排列信息传递给外延生长层...
针对这一市场趋势,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列,这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装,其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品...
英飞凌IGBT模块FF450R33T3E3 晶体管 可控硅 晶闸管 二极管 SIC 变频器 ¥ 9999.00 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: 西门康 批号: 2022 封装: 是 功率: 50000 种类: IGBT模块 电源电压: 1700 电源电流: 2400A 处理器速度: 200 数量: 1 价格: 透明 货源: 期货 执行标准...
近年来,8英寸碳化硅晶圆线布局明显加快。据“行家说三代半”调研发现,截至2024年4月,全球已有20家企业正在或计划推进8吋SiC晶圆产线建设,其中有8个项目落地中国。 据测算,SiC晶圆从6英寸扩大到8英寸,SiC芯片产量可增加90%,在8英寸晶圆上制造的SiCMOSFET芯片成本有望降低54%,这将进一步加速碳化硅的大规模应用。
基于SiC有机无机混合异质结的高性能自供电紫外光电探测器 01 研究介绍 紫外光电探测器因其出色的限定波段(10~400 nm)选择性识别能力,在空间探测、国防预警、环境监测和生化分析等领域具有重要的应用前景。特别是伴随物联网技术的快速发展...