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从而降低功率损耗。碳化硅器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，从而大幅提高实际应用的开关频率...
SiC MOSFET的这些优点的器件特性,由于高开关速度和高BV 实现的高输入电压的应用,结果是通过使用更小功率变压器,可以实现高转换效率的功率LLC dc/dc的小型化。在本应用笔记中,将说明构成(Figure 1)具备绝缘变压器的三相输出电路LLC dc/dc,且采用具有1200V BV的SiC MOSFET的优点。根据最大超过200kHz的开关频率,一般...
SiC碳化硅MOSFET通用变频器全功率段采用碳化硅单管及碳化硅单管并联方案,以独特软/硬件配合动态控制方法,实现单管之间有效均流,在碳化硅MOSFET功率器件异常情况(过流,短路)下快速保护,通过对变频器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驱动参数优化,器件与结构布局优化,解决变频器实际使用过程中(由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt产生的变频...
新型沟槽SiC基MOSFET器件研究 SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势,SiC沟槽MOSFET(UMOSFET)具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点 2023-12-27 09:34:56 搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块 1.SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的...
官微资料显示,北一半导体成立于2017年,总部位于深圳市,生产基地位于黑龙江省穆棱市,是一家专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售的厂商。北一半导体目前在研产品包括精细沟槽栅IGBT芯片、沟槽栅SiC MOSFET芯片、双面散热模块等,产品广泛应用于工业变频、感应加热、新能源汽车、风电及光伏领域。
器件的并联或者多个功率模块的并联已在大功率场 合使用。将多个SiC MOSFET 并联使用有诸多优 点［6,7］:将功率损耗分散在并联的开关管中,单个开 关管需要承担的热量更小,温升降低,提高了开关管 的工作寿命;根据不同电流等级的应用需要,可以灵 活选择并联开关管的个数;此外,采用多个分立器件 并联即可达到大电流...
硅器件的驱动电压最高一般为15V,所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求,在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。 2019-11-05 - 设计经验 【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势:低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻 ...
功率损耗 恢复损耗 传导损耗 硅基超高速二极管 SiC二极管的主要优点 消除恢复损耗 开关性能比较 SiC二极管 STPSCxH065 时间 600V超高速 硅基 SiC基二极管 缩小尺寸 - 60% SiC +20%Si @低负载 AVG Power 效率更高的功率转换 7 SiC市场 电源 350 kW 100 kW 50 kW 30 kW 10 kW 5 kW 1 kW HEV / B...
由于SiC MOSFET芯片本身尺寸限制,以及对更高功率等级的追求,SiC 通常采用多芯片并联来提高器件的输出电流能力。由于开关速度很快,并联的两个MOSFET芯片间容易产生开关瞬态振荡,从而可能导致电磁干扰以及电流分配不均问题。并联背后的物理原因及解决方案,请点击以下视频。