表 1-1 列出了各种半导体材料的电气特征,SiC 的优点不 仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是 Si 的 10 倍,带隙(Energy Gap)是 Si 的 3 倍,而且在器件制造时可以在较宽的范 围内实现必要的 P 型、N 型控制,所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体(结晶多系),...
SiC器件正在广泛地被应用在电力电子领域中,典型市场包括轨交、功率因数校正电源(PFC)、风电(wind)、光伏(PV)、新能源汽车(EV/HEV)、充电桩、不间断电源(UPS)等。根据Yole的预测,2017~2023年,SiC功率器件市场将以每年31%的复合增长率增长,2023年将超过15亿美元。 SiC是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料...
因此,SiC器件数量可以减少到最低水平,从而实现最优成本效益。 图1: a) SiC T-MOSFET结合ANPC拓扑结构 b) 调制方案:由于T6与T5互补,未显示T6。 近期发表的[8]中提出了类似的方案,但是该方案选用了小功率分立器件。本文则重点探讨采用功率模块的大功率应用。 快速开关器件T5的占空比D可以用以下公式表示: 其中,V...
SiC MOSFET的这些优点的器件特性,由于高开关速度和高BV 实现的高输入电压的应用,结果是通过使用更小功率变压器,可以实现高转换效率的功率LLC dc/dc的小型化。在本应用笔记中,将说明构成(Figure 1)具备绝缘变压器的三相输出电路LLC dc/dc,且采用具有1200V BV的SiC MOSFET的优点。根据最大超过200kHz的开关频率,一般...
・当示波器不具备显示所观测波形功率损耗的功能时,可以通过测得的开关波形来计算损耗。 ・在SiC MOSFET导通时间和关断时间内,VDS和ID重叠的部分会产生开关损耗。 ・在SiC MOSFET的导通区间,会因ID和MOSFET的导通电阻而产生导通损耗。 ・测量时的注意事项1:如果示波器的采样率较小,就会漏掉波形的细节部分,导致...
新型沟槽SiC基MOSFET器件研究 SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势,SiC沟槽MOSFET(UMOSFET)具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点 2023-12-27 09:34:56 搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块 1.SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的...
SiC IGBT有人在做的,但还属于比较前沿,应用需求还不够。目前还是先把沟槽栅结构的SiC MOS做明白比较好 2024-04-12 00:3316回复 缝撕锐不能完全这么算的,IGBT是bipolar器件,有电导调制,可以有效降低导通电阻。在大功率的应用里面比MOSFET有更大优势。 2024-04-11 01:066回复 乡下老朋友回复@缝撕锐 :igbt...
高电压测试证实了接近4HSiC的理论值的闭锁电压. High voltage test confirmed close to the theoretical value of the 4H-SiC blocking voltage. 在50μm厚外延膜上制造的器件中实现了高达8kV的闭锁电压,并且在80μm厚膜上制造的器件中获得了高达10kV的闭锁电压. Achieve the blocking voltage up to 8kV at 50...
功率器件spice建模01【SiC MOSFET】【基于数据手册或实验数据】 不孤单患者 6569 2 1:26:45 功率模块封装/High density power module packaging 不孤单患者 2683 0 05:39 电力电子LTspice仿真基础02-教你测量开关时间及开关损耗【SiC MOSFET】 不孤单患者 7528 9 01:49 奥特娘陷入苦战 泥醉薅逝 1.1...
VDSS=1200V～1700V ID=300A～1200A Hybrid-SiC Power Module VDSS=1200V ID=100A～600A HV SiC Moduel VDSS=1700V～3300V ID=185A～1200A SiC DIPIPM VDSS=600V ID=15A～25A SiC DIPPFC VDSS=600V ID=30A 针对SiC采取的举措 积极投入资源 ...