JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写,由栅极、源极和漏极 3 个端子组成。在 JFET 中,电场施加在控制电流流动的栅极端子上。从漏极流向源极端子的电流与施加的栅极电压成正比。JFET基本上有两种类型,基本上是N沟道和P沟道。 MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写。在这里,器件的电导率也根据施加的电...
“TCAD仿真还表明,对于 SiC MOSFET,高浓度载流子聚集在 JFET 区域的顶部;其中一小部分注入到栅极氧化物中,在高温和高电场强度的应力下形成栅极漏电流,”该团队解释说。 图1:失效前 SiC JFET(左)和 SiC MOSFET(右)的空穴电流密度分布 考虑到漏电流的引入,设计了SiC JFET和 SiC MOSFET的故障模型示意图。虚线框中...
系数KA取0.6,多晶宽度Wg=4um,P阱结深xjp=1um,积累区迁移率μna=100cm2/V·s。JFET区比导Rjfet,sp,约0.035mΩ·cm2(核算了两次,乖乖,为何这小呢?); JFET区电阻率ρjfet=0.1Ω·cm(μnj=600cm2/V·s),W0=0um。漂移区比导Rd,sp,约1.8mΩ·cm2; 漂移区电阻率ρd=1.56Ω·cm(μnd=800cm2/...
据了解,不同于传统的SiC MOSFET设计,Qorvo另辟新径,其SiC MOSFET采用了高密度沟槽 SiC JFET结构,SiC MOSFET中的沟道电阻Rchannel被SiC FET中低压硅MOSFET的电阻所取代,后者的反转层电子迁移率要好得多,实现了超低单位面积导通电阻,因此损耗也更低。该结构与低电压 Si MOSFET 共同封装,SiC FET的晶粒面积也相对较...
传统的平面型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Planar SiC MOSFET,例如垂直双扩散金属氧化物晶体管VDMOS)由于器件尺寸较大,影响了器件的特征导通电阻,这会增加开关损耗,导致器件性能较差,并且,传统的平面型碳化硅器件成本较高,不利于推广利用。 为了解决上述问题,上海瞻芯申请了一项名为“半导体器件结构及其形成方法”...
power MOSFETJFET regionspecific on-resistancereliability650 V silicon carbide (SiC) power MOSFETs with various JFET region design have been successfully fabricated on 6-inch wafers in a state-of-the-art commercial SiC foundry. The trade-offs between the performance and reliability of the 650 V ...
不过最近几十年来,它已被用作电子材料,最初用于发光二极管(LED),最近又被用于电力电子设备,包括肖特基势垒二极管(SBD),结型场效应晶体管(JFET)和MOSFET晶体管。由于SiC MOSFET具有取代现有的硅超级结(SJ)晶体管和集成栅双极晶体管(IGBT)技术的潜力,因此受到了特别的关注。
【摘要】建立了两种碳化硅(SiC)器件JFET和MOSFET的失效模型.失效模型是在传统的电路模型的基础上引入了额外附加的泄漏电流,其中,SiC JFET是在漏源极引入了泄漏电流,SiC MOSFET是在漏源极和栅极引入了泄漏电流;同时,为了体现温度和电场强度与失效的关系,用与温度和电场强度相关的沟道载流子迁移率代替了传统电路模型所采...
(54)发明名称JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法,所述方法包括如下步骤:在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层;将JFET区上方的第二介质层刻蚀,刻蚀后进行JFET区离子注入;淀积第三介质层,再大面积刻蚀第三介质层并终止于第二介质层...
SiC MOSFET 技术的优势 正如我们提到的,Qorvo的垂直SiC FET采用的是Cascode架构,这种设计就像是一种常断式开关。这种结构和它的两种不同封装实现方式——常开SiC JFET与硅MOSFET的并排或堆叠连接方式——都非常清晰直观。Qorvo还提供了高压非共源共栅常开型SiC JFET,电压范围为650V至1700V,导通电阻范围为25mΩ至1000...