为了让SiC器件在这些大功率、高电压、高开关速度的应用中发挥出全部的特性,其驱动器的选择也至关重要。数明半导体的SiLM5350作为一款单通道30V、10A带米勒钳位的隔离驱动器,具有强大的驱动能力,能够高效、稳定地驱动SiC(碳化硅)等新型半导体器件,确保功率器件在各种复杂环境下高效的运行。 另外SiLM5350还具备米勒钳位功能...
阻抗变换用P型MOSFET,电压转换器,有470MHZ输入混频器和455 KHZ FM IF解调器,最大8V输入、VFM控制的升压型DC/DC转换器,视频IC,低压工作、内置LPF、增益可变的单路隔离放大器,SP5T射频开关,三相DC无刷电机前级驱动器,单路、高精度运算放大器,大输出的基波石英晶振IC,USB高边PCH开关IC,双路、高精度、轨到轨...
在电动汽车中,主逆变器起着举足轻重的作用,是各大车企新能源车型平台的核心技术。中恒微的“Drive Z3”产品系列,近日再添一员大将——采用全SiC 技术的三相全桥拓扑结构的车规级功率模块—Drive Z3-SiC_6H002D120T1P。 这是一款具有1200 V阻断电压、导通电阻仅2mΩ,且适用于电动汽车牵引逆变器的纯SiC全桥...
SiC基GaN射频芯片是未来射频芯片领域的重要发展方向之一。随着5G时代的到来和物联网的快速发展,SiC基GaN射频芯片将会得到更广泛的应用。同时,随着技术的不断进步,SiC基GaN射频芯片的性能将会不断提高,应用范围也将会不断扩大。 总之,S...
6:57p‘I cannot afford to lose more’: Will Trump’s ‘liberation day’ tariffs hurt my retirement? 6:47pMy ‘failure-to-launch’ brother took control of our late mother’s estate — and gave me a $1,500 check. What can I do?
结晶质量良好,晶型稳定且衬底全片电阻率小于0.5Ω㊃cm㊂通过第一性原理平面波超软赝势方法对本征4H-SiC 及Al 元素掺杂后样品的体系进行能带结构㊁电子态密度的计算㊂结果表明Al 掺杂后样品禁带宽度减小,费米能级穿过价带,体现出p 型半导体的特征㊂研究结果为大规模生产高质量㊁低电阻的p 型4H-SiC 衬底...
This phenomenon has a negative influence on the graphene dispersion in the matrix, causing higher p orosity60. on In addition, the graphene layers can be considered as a C (carbon) source that can the SiC surface and by reducing the ratio of the grain boundary energy to the surface ...
SiCCC 碳纤维碟..机动车很早就开始使用碳纤维碟片了,但是自行车一直没有成功的产品,现在这个也只是刚刚推出,好不好需要时间检验。 Kettle Cycles的两位设计师推出的碳纤维碟片,据说采用了碳化硅、陶瓷和碳纤维的复
Shenzhen SiChi Technology Co.,Ltd. was established in 2000,It is the most powerful and influential c...
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