掺杂浓度为1e19 cm2;N+型衬底具有两个表面,分为正面与背面,在正面形成一层N型缓冲层,厚度为0.8~1um,掺杂浓度为1e18 cm2;在N型缓冲层覆盖N型轻掺杂类型的漂移层,即为N型漂移层,厚度为5~15um,掺杂浓度为5e15~1e16 cm2,背面形成金属电极层;步骤002,在漂移层的表面通过光刻掩膜,进行P型掺杂形成...
The real part and dielectric loss tangent of the nickel-coated SiC P were significantly enhanced. The origin of the enhancement was discussed in theory, and also explained by discussing practical influence factors. 展开 关键词: Silicon carbide nanoparticle Surface modification Core-shell structure ...
近日,法国市场研究机构KnowMade最新发布的一份针对碳化硅(SiC)的知识产权 (IP) 报告显示,2021 年至 2023 年期间,中国参与者披露的SiC发明专利数量增加了约 60%,是全球主要国家和地区当中增长更快的,同时也是专利申请量最多的。如果仅看2023年,在全球SiC 专利申请当中,超过 70% 被都是来自于中国实体。 激烈的市场...
The ZrC-SiC multiphase ceramic precursor of PZCS with abundant active cross-linking sites was prepared by a dehydrocoupling reaction between polyzrocarbonane (PZC) and polycarbosilane (PCS). The ceramization mechanism of PZCS and the composition and stru
Improvement was also observed at week 4 for the elbow (p=.039), wrist (p=.002), finger (p=.001) and thumb (p=.002) in the treatment gr. Improve 没有在肌肉紧张的重大减退在手肘、腕子或者手指。 在Ashworth标度比分的减退被观察了在腕子在星期2在治疗小组。 改善在治疗gr.也被观察了在星期...
新品发布——6H002D120T1P 在电动汽车中,主逆变器起着举足轻重的作用,是各大车企新能源车型平台的核心技术。中恒微的“Drive Z3”产品系列,近日再添一员大将——采用全SiC 技术的三相全桥拓扑结构的车规级功率模块—Drive Z3-SiC_6H002D120T1P。
12月17日晚间,格力电器官方视频号发布相关视频,曝光了格力电器投资近百亿元建设的号称“全球第二座、亚洲第一座”全自第三代半导体(碳化硅)芯片工厂。 据介绍,碳化硅芯片工厂投资近百亿元,从2022年12月打桩建设,仅用时10个月完成芯片厂房建设并设备移入,到建成通线仅用时388天,创造了最快半导体建厂通线速度,并且...
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