一般来说,对于一定开关频率freq下,碳化硅MOSFET的门级电荷为Qg时,其对驱动电流的要求是freq×Qg,我们可以按照这个原则去对驱动芯片驱动能力做初步筛选。 进一步的,假设所需要驱动的碳化硅MOSFET并联个数为N,每一个MOSFET的门级电荷为Qg,其门级驱动电压为VGS,则总的驱动功率为freq×N×VGS×Qg,我们可以据此进行驱动...
栅极驱动电路是控制SiC MOSFET开关动作的核心部分，其性能直接影响到MOSFET的工作效率和可靠性。一个基本的栅极驱动电路包括栅极信号（VG）、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻（RG_INT）、封装的源极电感量（LSOURCE）、栅极电路局部产生的电感量（LTRACE）以及外加栅极电阻（RG_EXT）。在等效电路图中，栅极电流（IG）和...
控制稳定性方面，SiC MOSFET跨导与结电容有着很强的非线性特征，并且电压源驱动下的SiC MOSFET的响应特性是复杂的高阶数学方程。同时，阈值切换型AGD电路本质上属于一种非线性的闭环控制，无法使用全闭环型AGD中伯德图、根轨迹等分析工具来研究控制系统的稳定性。目前，对于SiC MOSFET开关暂态的建模工作仍在进行之中。...
六、SiC MOSFET导通Turn ON说明 SiC MOSFET导通Turn ON说明 七、SiC MOSFET导通Turn OFF说明:如图六 SiC MOSFET导通Turn OFF说明 八、驱动电流iG的计算(一阶近似) (图七)系说明驱动电流iG与QG(TOT) 还有开关速度之间的关系,是初阶非精准计算,在选用Gate Drive IC及SiC MOS 时可以参考,以安森美NCP51561 Gate D...
整个评估板提供的主要电路如下,图中电路主要意思是这样,评估板提供了由两个SiCMosfet管组成上下桥臂电路,整个评估板提供了一个半桥电路,可以支持Buck,Boost和半桥开关电路的拓扑。 SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成,上下桥臂各有一块电路,同时上下桥臂还是用了以BD7F200组成的反击式开关电源为为...
从两种上述电路负压关断驱动方案的分析对比可知,两种电路方案成本相当,但第一种方案可以实现全PWM开关周期的额定负压关断,在SiC MOSFET驱动中使用更普遍。芯塔电子多款SiC MOSFET产品采用上述方案一,目前已在新能源汽车、光伏储能、充电桩等多个应用领域的头客户获得批量导入。
然后,介绍了SiC MOSFET模块开关过程,分析了新型SiC MOSFET模块 驱动电路的设计以及驱动要求,对SiC MOSFE模块的桥臂串扰问题进行分析,提出一种能够抑制桥臂电路串扰问题的驱动方案,根据驱动方案完成了驱动电 路的硬件设计。 最后,完成了SiC MOSFET的模块封装以及驱动设计,并在驱动实验所测 试的结果进行验证,证明了SiC ...
SiC MOSFET由于其出色的高温特性和高击穿电压，特别适用于高温高压应用，如电动汽车、电力转换、太阳能逆变器以及航空航天领域。SiC MOSFET可以在高温下稳定工作，且能够处理高电压电流。SiC MOSFET 驱动电路的设计一般重点体现其驱动电压和快速性上。（SiC MOSFET驱动电路图）驱动电压：SiC MOSFET的门极驱动电压通常比Si ...
1.1 谐振辅助驱动电路基本思路 谐振辅助驱动电路如图1所示,图中,SiC MOSFET的等效模型由栅漏极结电容Cgd、栅源极结电容Cgs、漏源极结电容Cds组成,Rg为栅极驱动电阻,RCD回路由电容Cq、Cp和电阻Rq、Rp组成,通过Rq和Rp的比值可以实现电容Cq和Cp的分压,从而实现电源模块仅提供正电压便可进行负压关断和正压开启。同时增...
JournalofPowerSupply Mav.2013 SiCMOSFET驱动电路及实验分析 张旭,陈敏 ,徐德鸿 (浙江大学,浙江 杭州310027) 摘要 :根据 SiCMOSFET开关特性 ,设计 了一种 SiCMOSFET的驱动电路 ,在此基础上采用双脉冲测试方法 , 对 SiCMOSFET的开关时间、开关损耗等进行 了实验测量 ,分析 了不 同驱动电阻对 SiCMOSFET开关时间、...