它相比传统的硅功率器件,有着更高的开关速度、更低的导通电阻和更好的热稳定性。 二、Sic mosfet的工作原理 1. 充电过程 当Vgs(栅源电压)增加时,沟道开始形成,电流开始流经沟道,mosfet处于导通状态。在这个过程中,电荷被注入沟道中,并且沟道的阻抗开始下降。 2. 关断过程 当Vgs减小到阈值以下时,mosfet进入关断...
由于SiC MOSFET在开通状态下可以传导正电流和负电流,因此通常只需要体二极管在极短的死区时间内传导电流。当负载电流从将要关断的器件换流到另一个已关断SiC MOSFET的无源体二极管时,就会存在死区时间。一旦换流对管开关再次开通并接管负载电流,体二极管会进行自关断(比较图1)。体二极管关断是一种被动行为,因为它总...
碳化硅MOSFET的工作原理可以简述如下：当栅极施加正电压时，形成电场，使得通道中的载流子（电子或空穴）移动，导致源极和漏极之间形成导电路径。通过调节栅极电压，可以控制通道中的载流子浓度，从而控制MOSFET的导通程度。二. 碳化硅MOSFET分平面结构和沟槽结构 三.相对应于硅基MOSFET以及IGBT，碳化硅MOSFTE有以下优点：01...
因此,该文首先对SiC MOSFET开关特性进行深入分析,揭示栅极电流与电流电压过冲的数学关系;然后提出一种变栅极电流的新型有源驱动电路;通过对SiC MOSFET开关瞬态的漏极电流变化率d/d、漏-源极电压变换率dds/dt以及栅极电压Vgs的直接检测与反馈,在开关过程的电流和电压上升阶段对栅极电流进行主动调节,抑制电流电压过冲与...
1. SIC MOSFET工作原理: -加载和关断:在导电状态下,通过施加正向偏压,使得漏极和源极之间建立正向电场。当施加的电压大于门源极电压阈值时,导电通道打开,电流通过。 -控制:通过施加在栅层上的电压来控制通道的导电性。正向电压将使通道导电,而负向电压或零电压将使通道关闭。 2. SIC Schottky二极管工作原理: -...
从上面所述的两路MOSFET的静态电流差异和开关损耗差异,可以看到SiC MOSFET存在较明显的并联不均流问题,造成这一现象的原因我们认为主要有两方面,其一是器件离散度较大。本次研究随机抽取了两块芯片进行测试,在电路设计基本一致的情况下,从测试结果来看,两块芯片在静态电流和动态损耗两方面都存在明显差异。其二是SiC MOSF...
1. 短路(SC)失效的基本原理 与以前的Si基IGBT相比,SiC MOSFET拥有更低的导通电阻、更高的阻断电压和工作结温,并且在关断过程中SiC MOSFET几乎没有拖尾电流,这可以降低开关损耗,提高开关速度,更快的开关速度意味着更大的du/dt电压变化率[2-4]。当器件导通时,同一桥臂中施加在互补器件上的du/dt将会非常高,Miller...
本文探讨了影响高速SiC MOSFET开关特性的关键因素,包括器件特性、工作条件和外部电路;解释了开关损耗的主要影响因素,并确定了影响器件行为和使用的重要因素,这些因素可以显著提升SiC MOSFET在功率电路中的开关性能。 1. 引言 碳化硅(SiC)MOSFET支持功率电子电路以超快的开关速度和远超100V/ns和10A/ns的电压和电流摆率下...