一、SiC晶圆的材料特性与优势 碳化硅半导体材料因其3.2eV的宽禁带特性,在高温稳定性和功率密度方面显著优于传统硅基材料。其热导率达到4.9W/cm·K,可承受600℃以上的工作温度,特别适合极端环境下的电子器件应用。 二、长飞公司的晶圆...
基本半导体 - 单通道隔离型门极驱动器,BTD5350SBWR,BTD5350,BTD5350SCWR,BTD5350 系列,BTD5350EBPR,BTD5350XBX,BTD5350ECPR,BTD5350XCX,BTD5350M,BTD5350SBPR,BTD5350MBWR,BTD5350SCPR,BTD5350ECWR,BTD5350S,BTD5350EBWR,BTD5350MCWR,BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350XC,BTD5350MX,BTD5350XB,BTD5350SX,BT...
本篇博客探讨了SiC材料如何提升产品性能以超越基于硅材料的领域,从而为我们全新的数字世界创造下一代解决方案。硅基MOSFET、碳化硅(SiC)MOSFET、氮化镓(GaN)HEMT或碳化硅(SiC)FET等功率电子器件是用于众多市场领域的主要技术构件。长期以来,硅一直是功率电子应用中的首选半导体材料。直到最近,由于SiC技术性能和可靠性的...
近日,西湖大学未来产业研究中心、工学院仇旻课题组成功研发出一种新型碳化硅光子器件,能够有效减轻高功率激光加工中的热漂移问题。团队利用半导体工艺,制备出大口径、高精度的 4H-SiC 超透镜,对标高性能商用物镜,实现了衍射极限聚焦。经过...
在碳化硅业务方面,意法半导体于2004年开始生产其首款SiC二极管,009第一款SiCMOSFET投产,当前可生产SBD、MOSFET,其碳化硅功率器件不仅打入特斯拉供应链,其产线也被特斯拉包下,导致意法半导体对特斯拉以外的客户供应及其紧张,交货周期以拖至一年以上;在全球碳化硅晶圆供应不足的情况下,意法半导体拟收购瑞典SiC晶圆制造商...
通过光化学合成过程将CO2,水和无机养分转化为生物质,这在碳平衡中起着至关重要的作用。然而,近年来生物质的燃烧往往会导致CO2的大量排放,打破了这种平衡。因此,探索保证生物质生产利用周期中的碳平衡的新技术至关重要。 稻壳(RHs)是一...
导热板 、窑车板 、板晶顺 、碳化硅 、加长板 、浇筑管 、焚烧炉 、隔焰板 、砂轮板 、耐磨管 、浇注料 、电炉丝 、异型砖 、耐磨板 、衬板管道 、板棚板晶 、金能墙砖 、制品009晶 、晶顺金能 、弯头衬板 、金能耐酸 、坩埚挡板 、耐磨衬板 、磁性材料 、弯头管道 企业档案 供应商品 联系企业碳化...
doi:10.1007/s11595-009-3363-yThe process of preparing SiC coating by electron beam-physical vapor deposition (EB-PVD) was discussed from viewpoint of thermodynamis. Results show that within the temperature range of 2 700–3 300 K, the ratio of SiC in the SiC coating doesn’t change much...
重庆川仪横河EJA530A智能压力变送器EJA530,EIA530A,EJA530A-DA,EJA530A-DB,EJA530A-DC,EJA530A-DD,EJA530A-EA,EJA530A-EB,EJA530A-EC,EJA530A-ED重庆川仪横河EJA530A压力变送器(直接安装式)用于测量液体、气体和蒸汽的液位、密度和压力,然后将其转变成4-20mADC的电流信号输出。EJA530A也可与BRAIN TM 手操器、HART ...
【摘要】碳化硅晶须的制备已有众多研究.目前,国内制备SiC晶须的方法主要可分为两大类:气相反应法和固体材料法,每种制备方法都有其各自的特点.本文重点介绍了这两种制备方法的合成机理,以及相关制备方法取得的一些实验研究成果. 【期刊名称】《陶瓷》 【年(卷),期】2010(000)009 【总页数】3页(P11-13) 【关键词...