半导体碳化硅(SiC)具有禁带宽大、高击穿电场强度、高热导率和高饱和电子漂移速度等优势,是制备PCSS器件的理想材料。平面型SiC PCSS制备和封装工艺相对简单,但其常采用355 nm激光本征触发,光生载流子集中在SiC衬底的浅表面,局部高电流密度...