doi:10.1016/j.gca.2016.08.007D.J. CherniakE.B. WatsonR. TrappischJ.B. ThomasD. ChaussendeElsevier LtdGeochimica et Cosmochimica ActaD.J. Cherniak, E.B. Watson, R. Trappisch, J.B. Thomas, D. Chaussende, Diffusion of helium in SiC and implications for retention of cosmogenic He, ...
SS Hullavarad,EB Jones,RD Vispute,... - International Semiconductor Device Research Symposium 被引量: 19发表: 2005年 Band Offsets at Semiconductor-Oxide Interfaces from Hybrid Density-Functional Calculations Band offsets at semiconductor-oxide interfaces are determined through a scheme based on hybrid...
主要规格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款单通道智能隔离门极驱动芯片,采用磁隔离技术;绝缘电压高达5000Vrms@SOW16封装;输出峰值电流典型值15A;管脚功能集成功率器件短路保...
(C),LA-301EB/EL,SML-P11YT (R),BM6241FS,LAP-301DB/DL,RB521ASA-30,BU30TD2,BU30TD3,BD65D00MUV,DTA115EUB,SCM-013RT,SML-H12V8T (C),BD63521EFV,BU94702AKV,RBQ10BGE10A,SML-S13PT,RB168MM200,DTC144WCA,BD22621G-M,SLI-343URC,RS6R035BH,RGT20NL65,DTD123TC,RFVS8TG6S,RB058RSM...
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