此外，SiC材料是一种非氧化物，共价键性极强，与氧化物烧结性较差。SiC因具有热膨胀系数小、热导率高、高温强度大、抗渣性好和可形成保护性氧化等优点而被广泛用作提高材料性能尤其是抗渣性和热震稳定性的添加物使用。01 碳化硅(SiC)在定形耐火材料中的应用 在定形耐火材料中，SiC既可以作为主成分制成SiC制品...
碳化硅(SiC)又称金刚砂,天然的很少,工业上用的都为人工合成原料。它有两种晶型:低温形态的β-SiC,属于立方结构,高温形态的α-SiC,属于六方结构。其真密度为3.21g/cm3,分解(升华)温度为2600℃。它是一种硬质材料,其莫氏硬度为9.2。SiC的热膨胀系数不大,在25℃~1400℃范围内,SiC的平均热膨胀系数为4.4×10-6/...
在1800 °C以下,SiC掺杂扩散率通常较低,所以才需要离子注入,注入后采用高温退火 (PIA) 来修复晶格损伤并将掺杂剂激活。SiC PIA需要极高的温度,n型SiC通常高于1400 °C,p型需要更高的温度 (>1600 °C)。而硅基3C-SiC的激活退火温度通常被限制在 1412 °C(硅熔点)。 三是硅基3C-SiC器件加工的主要挑战之一...
所以SIC单晶的生长只能从气相开始,这个过程比SIC的生长要复杂的多,SI在大约1400℃左右就会熔化。使SIC技术不能取得商业成功的主要障碍是缺少一种合适的用于工业化生产功率半导体器件的衬底材料。对SI的情况,单晶衬底经常指硅片(wafer),它是从事生产的前提和保证。一种生长大面积SIC衬底的方法以在20世纪70年代末研制...
Wang等研究了SiC/SiC复合材料在真空环境下,1300℃~1430℃范围内的蠕变行为,结果表明,当温度高于1400℃时,蠕变断裂时间明显缩短、蠕变速率增加了3个数量级,主要是由于高温使得SiC纤维中的SiOxCy相重结晶成SiC和C,并且SiC晶粒发生明显的长大。 1、纤维类型对SiC/SiC复合材料蠕变行为的影响...
得益于组分和微观结构的协同作用,S-1400在10 wt%的低填充率下获得RLmin为-54.68 dB。同时,EABmax达到8.49 GHz,几乎在所有的波段 (S、C、X和Ku波段) 都具有一定的吸收能力。多孔异质SiC/SiO2微球具有的低填充率、宽有效吸收带宽和强吸收强度的特点,这项工作为设计理想电磁波吸收材料提供了指导。
所以SIC单晶的生长只能从气相开始,这个过程比SIC的生长要复杂的多,SI在大约1400℃左右就会熔化。使SIC技术不能取得商业成功的主要障碍是缺少一种合适的用于工业化生产功率半导体器件的衬底材料。对SI的情况,单晶衬底经常指硅片(wafer),它是从事生...
碳化硅没有液态,把硅加热 到 1400 度变成液态,将碳溶解到硅里。生产温度下降(1700 度),生产速度提升 5 倍, 每小时 1mm,未来有可能更高。PVT 方法的晶体生长过程中位错缺陷较难控制,液相 法由于生长过程处于稳定的液相中,可生长没有螺旋位错、边缘位错和几乎无堆垛层错的碳化硅单晶,该优势为高品质大尺寸碳化硅单...
SiC 氧化温度通常在 1300～1400 ℃下进行,伴随氧气、二氯乙烯(DCE)、一氧化氮等复杂气氛环境,常规的石英管式炉已不能满足适用,现主流方式采用专用的加热炉体设计,配套高纯碳化硅材料工艺炉管,实现具有高温高洁净耐腐蚀反应腔的 SiC 高温氧化炉设计。SiC 高温氧化国内应用较为成熟的设备有 Ox-idSiC-650、M5014-3...