4H-SiC属于六方晶系,在(0001)晶面上,四面体键合的Si原子的一个化学键是沿c轴(<0001>)指向的,该晶面被称为“Si面”,而在(000-1) 晶面上,四面体键合的C原子的一个化学键是沿c轴(<000-1>)指向的,该晶面被称为“C面”,该定义与晶体学取向有关,而不是表面上的终止原子。 发布...
内容提示: I蟊蔓星垦蚕薹三鲎垦耋螫垦墓堑整剑鱼王茎皇塑鱼SiC(0001)面和(000—1)面CM P抛光对比研究潘章杰,冯玢,王磊,郝建民(中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300222)摘要:研究了SiC衬底(0001)面和(000一1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001...
SiC(0001)面和(000—1)面CMP 抛光对比研究 潘章杰,冯玢,王磊,郝建民 (中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300222) 摘 要:研究了SiC衬底(0001)面和(000.1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10-38 和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000.1)C面进行对比抛光实验。使用精 ...
所以实际生产中,可以容易地产生重掺杂氮元素的N型4H-SiC晶锭,而生产重掺杂铝元素的P型4H-SiC现在依然存在挑战。 综上所述,物理气相传输法可以使用4H-SiC(000)多型体作为籽晶,在富C环境下把温度和压强控制在一定范围内,可以得到纯净的4H-SiC晶锭。 半导体工程师 半导体经验分享,半导体成果交流,半导体信息发布。...
[0039]图8是从由采用本发明的方法得到的SiC单晶切出的晶片A的(1-100)面衍射X射线形貌图像的中央部附近抽出并加以放大的IOmm见方区域的图像。 [0040]图9是从由采用本发明的方法得到的S i C单晶切出的晶片A的(_ IOI O)面衍射X射线形貌图像的中央部附近抽出并加以放大的IOmm见方区域(与图8相同的区域)的图像...
分别采用pH值为10-38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量。计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有yc〉VSi;而对于(0001)Si面,有...
SiC存在Si面0001面和C面000-1面 两面的特性不同，现在SiC器件主要是在Si面进行，所以目前的抛光是针对Si面的，不过C面的电子特性更好未来很大可能会在C面进行器件生产。
实施方式所涉及的sic外延晶圆1,如图1(a)所示,具备小于4度的偏角衬底2和配置在衬底2上的sic外延生长层3。在此,sic外延生长层3以si化合物为si的供给源、以c化合物为c的供给源。在此,使载流子密度均匀性小于10%,且缺陷密度小于1个/cm2,si化合物与c化合物之c/si比具有0.7以上0.95以下的范围也可。 另外,实施...
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Randy Economy, the senior adviser and official media spokesman forRecall Gavin 2020, told Fox News on Saturday that the campaign has received around 1,509,000 signatures -- more than the required amount. Organizers said they expect to have 1.6 million signatures by Sunday." foxnews ...