内容提示: I蟊蔓星垦蚕薹三鲎垦耋螫垦墓堑整剑鱼王茎皇塑鱼SiC(0001)面和(000—1)面CM P抛光对比研究潘章杰,冯玢,王磊,郝建民(中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300222)摘要:研究了SiC衬底(0001)面和(000一1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001...
4H-SiC属于六方晶系,在(0001)晶面上,四面体键合的Si原子的一个化学键是沿c轴(<0001>)指向的,该晶面被称为“Si面”,而在(000-1) 晶面上,四面体键合的C原子的一个化学键是沿c轴(<000-1>)指向的,该晶面被称为“C面”,该定义与晶体学取向有关,而不是表面上的终止原子。 发布...
SiC(0001)面和(000—1)面CMP (中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300222) 摘 要:研究了SiC衬底(0001)面和(000一1)面不同的CMP抛光特性。分别采 用pH值为10.38 和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000.1)C面 进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材...
[0139]在此,具有{0001}面内方向成分、和< 0001 >方向成分两者的柏氏矢量的位错在晶片B中,被拍摄在{1-100}面衍射(或者{11-20}面衍射)和{000m}面衍射两者中,但这包含在具有平行于{0001}面内方向的方向上的柏氏矢量的位错中,并不包括在具有平行于< 0001 >方向的方向上的柏氏矢量的位错中。因此,在两者的衍...
【杂志图】SIC面骑..又是威武的非商品化造型二楼和11楼看图HJ6月号的秃鹰---头HJ3月号 gel-shocker鸟蛇(大误)---手
实施方式所涉及的sic外延晶圆1,如图1(a)所示,具备小于4度的偏角衬底2和配置在衬底2上的sic外延生长层3。在此,sic外延生长层3以si化合物为si的供给源、以c化合物为c的供给源。在此,使载流子密度均匀性小于10%,且缺陷密度小于1个/cm2,si化合物与c化合物之c/si比具有0.7以上0.95以下的范围也可。 另外,实施...
退火时间对6H-SiC_0001_表面外延石墨烯形貌和结构的影响 退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响 唐军1刘忠良1康朝阳1阎文胜1徐彭寿1∗高玉强2徐现刚2（1中国科学技术大学国家同步辐射实验室，合肥 230029；2山东大学晶体材料国家重点实验室，济南250100）摘要：在分子束外延（MBE）设备中，采用高温...
据2022年年报披露公司碳化硅产能已达 12,000 片/月,硅基氮化镓产能 2,000 片/月,湖南三安二期工程将于2023 年贯通,达产后配套年产能将达到 36 万片,衬底已通过几家国际大客户验证,其中一家实现批量出货,且 2023 年、2024 年供应已基本锁定。 湖南三安半导体有限责任公司半导体产业化项目主要从事碳化硅、硅基氮化...
通过观察发现温度不仅会影响 SiC 粉体的表面形貌,还对生成的 SiC 粉粒度和纯度有很大影响,当反应温度从1 920 ℃升高到 1 966 ℃时,生成的 SiC 粉体粒度由 12. 548 μm 增加到 29. 259 μm。当温度继续升高,SiC 粉体的粒度逐渐减小( 见图 6) 。温度 2 000 ～ 2 050 ℃时,SiC 粉体的粒度趋于 ...
利用SiC 宽禁带功率器件设计实现了宽带高功率放大器, 工作频率带宽500~ 2 000 MHz, 输出功率超过100 W, 通过对放大器进行性能测试, 发现SiC宽禁带功率器件具有工作频带宽的优势。测试结果表明利用该方法设计宽带功率放大器是可行的, SiC 宽禁带功率器件具有较宽的工作带宽。 1 设计方案 SiC 宽禁带功率器件具有高功...