SiC MOSFETのオン抵抗を低減すると、短絡動作[注6]時にMOSFET部に過剰に流れる電流が増加するため、短絡動作の耐久性が低下します。また、逆導通動作の信頼性向上のために内蔵SBDを動作しやすくすると、短絡動作時にSBD部の漏れ電流が増加し、短絡動作の耐久性の低下につながります。開...
新しいHybridPACK™ Drive CoolSiC™は、電気自動車 (EV) のトラクション インバータ向けに最適化された1200Vのブロック電圧を持つフルブリッジ モジュールです。このパワーモジュールは、高電力密度および高性能アプリケーション向けの車載用CoolSiCトレンチMOSFET技術をベースにしていま...
インフィニオンのオートモーティブ事業部シニア バイス プレジデント兼ゼネラル マネージャーのネガー ソーフィー アムラシー (Negar Soufi-Amlashi) は「当社の新しいHybridPACK™ Drive G2 Fusionモジュールは、車載半導体業界におけるインフィニオンの革新的リーダーシップを明確に示す...
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクスは、ルノー・日産自動車・三菱自動車(アライアンス)の電気自動車に搭載される先進的なオンボード・チャージャ(OBC)に向けた高効率SiCパワー半導体のサプライヤに選ばれました。 ル...
大容量SiCパワー半導体素子に向けた要素技術開発として、高純度·厚膜化や低欠陥化を目指したSiCエピタキシャル結晶成長技術の研究開発を進めている。 本稿では、独自の構造を持つ縦型エピタキシャル成長装置の開発、本エピタキシャル成長装置を用いた厚膜、低マイクロパイプ密度4H-SiCエピタキシャル...
4. 多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイツチング特性に関する一検討 : モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討 [C] . 福永 崇平, 舟木 剛 電子デバイス研究会;半導体電力変換研究会 . 2017 机译:多层板低寄生电感SiC半桥模块...
Based on the advanced, innovative properties of wide bandgap materials, silicon-carbide power MOSFETs offer unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
SiC対応高速CMPプロセスの検討 計 工程を構築できたと言える.6インチウェハの一貫加 11)先進パワー半導体分科会 第1回講演会(2014) 測 工プロセス時間(切断からCMPまで)の目標値である 19)長屋正武ら:SiCウェハ加工プロセスにおけるト ・ 24時間以内を達成し,最短で9.5時間(切断以降は,1 ワ...
48 VのMOSFETをプリント基板に埋め込み、それにより性能を35%向上させました。シュバイツァー社は、パワー半導体をPCBに組み込むことができる革新的なp²Pack®ソリューションによりこの成功に貢献しています。 インフィニオンの車載用ハイパワー ディスクリートおよびチップの製品ライン...
HEVおよびEV向けトラクションインバーター eDisconnect ( 半導体バッテリー 主遮断機) eFuse (半導体HV補機遮断器) 機能安全資料 ご登録いただくと、無料の機能安全の資料(機能安全マニュアル、機能安全解析レポート、包括的なISO 26262サポート資料など)にアクセスできます。 登録ユーザーはmyICPフ...