该混合功率模块包括:由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片组成的半桥结构,所述半桥结构的每一桥臂均由SiIGBT芯片和SiCMOSFET芯片并联并反向并联一二极管组成;覆铜陶瓷基板,其用于搭载所述半桥结构,所述覆铜陶瓷基板连接功率端子和信号端子;散热基板,其与所述覆铜陶瓷基板贴合;封装壳体,其与所述散热基板配合对所述覆铜陶瓷基板...