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通用MOSFET 4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50℃~150℃ 20V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI9933CDY-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号D-SI9933CDY-T1-GE3
VISHAY(威世) 商品型号 SI9933CDY-T1-GE3 商品编号 C143653 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.245克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)4A 导通电阻(RDS(on))58mΩ@4.5V,4.8A ...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI9933CDY、 T1、 GE3、 VISHAY、 威世、 SOP8 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 封装: SOP8 批次: 10+ 数量: 40800 制造商: VishaySiliconix 系列: TrenchFET® FET类型: 2个P沟道(双) FET功能: 逻辑电平...
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型号 SI9933CDY-T1-GE3 BSO211P H 唯样编号 N-SI9933CDY-T1-GE3 A-BSO211P H 制造商 Vishay Infineon Technologies 供应商 海外代购 唯样自营 分类 通用MOSFET 功率MOSFET 描述 Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 数据表 si9933cdy.pdf BSO211P H....
SI9933CDY-T1-GE3由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI9933CDY-T1-GE3 价格参考￥ 0.819 。 JSMSEMI/杰盛微 SI9933CDY-T1-GE3 封装/规格: SOP-8, P+P沟道,-30V,-7.3A,29mΩ@-10V。你可以下载 SI9933CDY-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明...
SI9933CDY-T1-GE3-VB由VBsemi设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI9933CDY-T1-GE3-VB 价格参考￥ 1.6065 。 VBsemi SI9933CDY-T1-GE3-VB 封装/规格: SO-8, 。你可以下载 SI9933CDY-T1-GE3-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的...
品牌:其他 型号:SI9933CDY-T1-GE3 批号:MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC 封装形式:SMD 类型:数字集成电路 用途:通信 功能:逻辑电路 导电类型:其他 封装外形:扁平型 货期:现货或者发货 起定量:1 产品属性:全新原装 产品品牌:进口 产品单位:pcs产品概述:代理优势供应型号,如有需求请来电联系,我们将竭诚为您...