型号: SI7884BDP-T1-GE3 封装: PAKSO-8 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 58 A Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms Vgs...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SI7884BDP-T1-GE3 商品编号 C913429 商品封装 PowerPAK-SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.134克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)58A ...
SI7884BDP-T1-GE3-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管,具有高漏电流、低漏电压、低导通电阻等卓越性能。采用DFN8(5X6)标准封装,适用于多种电子应用。 **主要应用领域模块:** 1. **电源开关模块:** 由于SI7884BDP-T1-GE3-VB的N—Channel结构,适用于电源开关模块,实现高效的电源控制和管理。 2. **电机驱...
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