型号: SI7884BDP-T1-GE3 封装: PAKSO-8 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 58 A Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms Vgs...
SI7884BDP-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SI7884BDP-T1-GE3价格参考￥4.53。VISHAY(威世) SI7884BDP-T1-GE3参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):58A;导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ@10V,16A;耗散功率(Pd):4.6W;阈值电压(V
**应用简介:** SI7884BDP-T1-GE3-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管,具有高漏电流、低漏电压、低导通电阻等卓越性能。采用DFN8(5X6)标准封装,适用于多种电子应用。 **主要应用领域模块:** 1. **电源开关模块:** 由于SI7884BDP-T1-GE3-VB的N—Channel结构,适用于电源开关模块,实现高效的电源控制和管理。
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