SI7172DP-T1-GE3 Descripción MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8 Plazo estándar del fabricante 15 semanas Referencia del cliente Descripción detallada Canal N Montaje en superficie 200 V 25 A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) PowerPAK® SO-8 ...
价格 ¥ 1.00 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 通信IC 商品关键词 Si7172DP-T1-GE3-Z、 VISHAY、 SMD 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SMD 批号: 22+ 数量: 25000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作...
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SI7172DP-T1-GE3.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 系列 SI 高度 1.04 mm 长度 6.15 mm 宽度 5.15 mm 零件号别名 SI7172DP-GE3 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10...
摘要:SI7172DP-T1-GE3现货 Vishay Siliconix代理商 一站式电子元器件采购商城,晶体管 - FET,MOSFET - 单个的SI7172DP-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、引脚图、封装规格、价格行情和库存等信息,Vishay Siliconix的SI7172DP-T1-GE3货源充足,采购SI7172DP-T1-GE3上盛芯商城
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SI7172DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix - 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商型号:SI7172DP-T1-GE3 制造商: Vishay Siliconix 封装:PowerPAK® SO-8 产品类别: 商品描述:MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8 定价(未税) 数量总价 1 18.76 18.76...