型号: SI7137DP-T1-GE3 封装: SO-8 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 1.6 mOhms Vgs ...
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部件名SI7137DP-T1-GE3 下载SI7137DP-T1-GE3下载 文件大小513.25 Kbytes 页13 Pages 制造商VISHAY [Vishay Siliconix] 网页http://www.vishay.com 标志 功能描述P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES • TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET ...
制造商编号SI7137DP-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 唯样编号A36-SI7137DP-T1-GE3 供货严选 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Single P-Channel 200 V 1.95 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 SI7137DP-T1-GE3.pdf ...
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