包装 TO-220AB-3 功率(Pd) 50 工作温度 + 175 C 封装/规格 TO-220AB-3 认证机构 q 反向传输电容(Crss@Vds) 1 连续漏极电流(Id) 32 A 最小包装量 Tube 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1 导通电阻 1 栅极电荷(Qg@Vgs) 1 漏源电压(Vdss) 1.55 V 可售卖地 全国 类型 IGBT 晶体管 ...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SI7113ADN-T1-GE3 商品编号 C727382 商品封装 PowerPAK1212-8 包装方式 编带 商品毛重 0.15克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)10.8A ...
系列: Si7113ADN 商标: VishaySemiconductors 正向跨导-最小值: 8S 下降时间: 1622ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 40ns 工厂包装数量: 3000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 22ns 典型接通延迟时间: 35ns 单位重量: 283mg SI7113ADN-T1-GE3 电子元器件 Vishay 价格说明 价格:商品在平台...
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制造商编号 SI7113ADN-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 唯样编号 G-SI7113ADN-T1-GE3 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 PowerPAK 1212-8 P-Channel 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI7113ADN-T1-GE3.pdf si7113adn.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要...
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制造商编号 SI7113ADN-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 唯样编号 A36-SI7113ADN-T1-GE3 供货 严选 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 PowerPAK 1212-8 P-Channel 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI7113ADN-T1-GE3.pdf si7113adn.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,...
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