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SI4848DY-T1-E3参数如下：N沟道漏源电压(Vdss)为150V，连续漏极电流(Id)为5.4A，导通电阻(RDS(on))在10V电压下为80mΩ。这些技术参数显示了SI4848DY-T1-E3在各种电路设计中的强大性能。通过对这些参数的详细解读，方案工程师和技术人员可以更好地了解该产品的特性，并为电路设计提供更加可靠的支持。三、工作...
SI4848DY-T1-E3 丝印4848 SOP8脚贴片 MOS管 N沟道 分离式半导体 深圳市汇芯世纪电子有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥2.39 SI4848DY-T1-E3 丝印4848 SOP8脚贴片 MOS管 N沟道 分离式半导体 深圳市益芯胜电子科技有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥...
制造商编号 SI4848DY-T1-E3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 B-SI4848DY-T1-E3-1 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 150 V 0.085 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI4848DY-T1-E3.pdf 参数...
SI4848DY-T1-E3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SI4848DY-T1-E3价格参考￥2.1。VISHAY(威世) SI4848DY-T1-E3参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):2.7A;导通电阻(RDS(on)):85mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)):2V;栅极电荷量(Q
SI4848DY-T1-E3由Vishay设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过arrowavnetelement14ickey等渠道进行代购。 SI4848DY-T1-E3 价格参考￥ 6.0542 。 Vishay SI4848DY-T1-E3 封装/规格: SOIC8_150MIL, MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL。你可以下载 SI4848DY-T1-E3 中文资料、引脚图、Data...
SI4848DY-T1-E3&-100场效应管的工作原理基于N沟道的电场调控电流。当施加适当电压时，电场调控了N沟道中的电流流动，实现了对电流的精确控制。这一工作原理使SI4848DY-T1-E3&-100具备高度的灵活性，能够迅速响应外部电信号，为电子电路提供了稳定且可控的电流。2. 实际应用场景 信号放大电路在信号放大电路中，SI...
类似说明 - SI4848DY-T1-E3 制造商部件名数据表功能描述 Vishay SiliconixSI4488DY 45Kb/5PN-Channel 150-V (D-S) MOSFET Rev. B, 26-May-03 SI7846DP-T1-GE3 148Kb/8PN-Channel 150-V (D-S) MOSFET Rev. F, 06-Apr-09 VBsemi Electronics Co.,...VBM1158N ...
@爱采购寻源宝SI4848DY-T1-E3MOS(场效应管 爱采购寻源宝 SI4848DY-T1-E3MOS是一款高性能场效应管,专为工业控制及电源管理设计。它具备低导通电阻、高开关速度等特性,适用于高效能开关电源、电机驱动等场景。对于B2B买家而言,该场效应管的高可靠性和稳定性是关键考量因素。我们平台提供丰富的SI4848DY-T1-E3MOS...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SI4848DY-T1-E3&-100-VB 商品编号 C558270 商品封装 SOP-8 包装方式 编带 商品毛重 0.145克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)150V 连续漏极电流(Id)5.4A ...