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SI4840BDY-T1-GE3 商品编号 C36992 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.26克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)19A 导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V,12.4A ...
商品型号:SI4840BDY-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOIC-8 数据手册: 商品编号:L103401561 商品参数 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOIC-8 包装 整包装 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 25℃时电流-连续漏极(Id) 19A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,...
部件名SI4840BDY-T1-GE3 下载SI4840BDY-T1-GE3下载 文件大小240.91 Kbytes 页10 Pages 制造商VISHAY [Vishay Siliconix] 网页http://www.vishay.com 标志 功能描述N-Channel40-V(D-S)MOSFET 类似零件编号 - SI4840BDY-T1-GE3 制造商部件名数据表功能描述 ...
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描述: SI4840BDY-T1-GE3 - N-Channel 40-V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix 数据手册:下载SI4840BDY-T1-GE3.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 SI4840BDY-T1-GE3 数据手册 Si4840BDY Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 40 RDS(on) (Ω) 0.009 at VGS =...
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