型号 SI4401DDY-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI4401DDY-T1-GE3 封装: SOIC-8 批号: 2018+ 数量: 14621 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: ...
总之,SI4401DDY-T1-GE3 适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用领域的模块设计,主要用于电源管理、电动工具和汽车电子模块等。
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SI4401DDY-..型号:SI4401DDY-T1-GE3丝印:VBA2412品牌:VBsemi详细参数说明:- 类型:P沟道MOSFET- 最大耐压:-40V- 最大电流:-11A- 导通电阻:13mΩ@10V, 17m
SI4401DDY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI4401DDY-T1-GE3、查询SI4401DDY-T1-GE3代理商; SI4401DDY-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI4401DDY-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选...
零件号别名: SI4401DDY-GE3 单位重量: 506.600 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价...
在现代电子元件领域,SI4401DDY-T1-GE3场效应管因其优越的性能和重要的市场地位而成为了一个关键组件。这款P沟道MOSFET以其卓越的电气特性和高效的功能,在电子设计和制造中占据了显著的地位。SI4401DDY-T1-GE3不仅提升了设备性能,还在能效优化和设计灵活性方面展现了其重要性,成为推动电子元件技术发展的重要力量。
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI4401DDY、 T1、 GE3、 VISHAY、 SOP、 8 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOP-8 批号: N/A 数量: 120000 制造商: VishaySiliconix 系列: TrenchFET® FET类型: P通道 漏源电压(Vdss): 40V 25°C时电流-连续漏...
零件号别名: SI4401DDY-GE3 单位重量: 506.600 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价...
SI4401DDY-T1-GE3 由Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 future 等渠道进行代购。 SI4401DDY-T1-GE3 价格参考￥ 2.9268 。 Vishay SI4401DDY-T1-GE3 封装/规格: SOIC8_150MIL, MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL。你可以下载 SI4401DDY...