代理SI4431CDY-T1-E3SI4431CDY-T1-GE3封装SOIC8 MOS场效应IC 深圳市吴优电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.90 全新原装SI4431CDY-T1-GE34431C 30V/9A SOP8 P通道晶体管 深圳市宜泰晟电子科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 ...
型号 SI4431CDY-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SI4431CDY-T1-GE3 封装: SOP8 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 9 ...
SI4431CDY-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET,采用SOP-8封装,适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS),可处理6A的连续漏极电流(ID),并以其低至28mΩ的导通电阻(RD(on)),在同类产品中展现出优越的能效与低损耗性能。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等方面,是提升系统整体效能的理想半导体...
SI4431CDY-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET,采用SOP-8封装,适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的漏源电压(VDSS),可处理6A的连续漏极电流(ID),并以其低至28mΩ的导通电阻(RD(on)),在同类产品中展现出优越的能效与低损耗性能。广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等方面,是提升系统整体效能的理想半导体...
立创商城提供VISHAY(威世)的场效应管(MOSFET)SI4431CDY-T1-GE3中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购SI4431CDY-T1-GE3上立创商城
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SI4431CDY-T1-GE3 Application Note VISHAY MOSFET, MOSFET Transistor 4 page, SI4431CDY-T1-GE3 SOIC-8P-CH 30V 7A 32mΩ
SI4412DY-T1 Mounting Type standard Description standard IC CHIP SI4412DY-T1 Specifications 45201 Serial Interfaces 4204 Memory Type 14020 Current - Output (Max) 11 Voltage - Off State ZZV Current Transfer Ratio (Min) ZFA Voltage - Supply 9 Input Range 42414 Voltage - Forward (Vf) (Typ) SDS...
型号: SI4431CDY-T1-GE3 批号: 19+ 封装: SOIC-8 NARROW 数量: 10000 QQ: 3530488939 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 9 A Rds On-漏源导通...
零件号别名 SI4431CDY-GE3 单位重量 187 mg 可售卖地 全国 型号 SI4431CDY-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI4431CDY-T1-GE3 封装: SO-8 批号: 17+/19+ 数量: 10000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量...