全新SI4401BDY-T1-E3SI4401BDY-T1-GE3 封装SOIC-8 威世VISHA 深圳市吴优电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥3.00 原装正品SI4401BDY-T1-E3封装SOP8 1个P沟道 MOS场效应管 深圳市瑞弘博电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI4401BDY-..型号:SI4401BDY-T1-E3-VB品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-40V- 最大持续电流:-11A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):13mΩ @ 10V, 17m
型号 SI4401BDY-T1-E3 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOIC-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 10.5 A Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + ...
数据列表 Si4401BDY; 标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列 TrenchFET® 其它名称 SI4401BDY-T1-E3TR FET 类型 P 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.7A(Ta) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V...
SI4401BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor (威世) MOS管 VISHAY SI4401BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, 8.7A, SOIC-8, 整卷查看详情 SOIC-8 2004年 ¥4.693 数据手册(11) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (4) 反馈错误 by FindIC.com...
商品型号SI4401BDY-T1-E3 商品编号C142561 商品封装SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.8克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 40V 连续漏极电流(Id) 8.7A 导通电阻(RDS(on)) 14mΩ@10V,10.5A 属性参数值 耗散功率(Pd) ...
SI4401BDY-T1-E3 全球供应商 全球供应商 (5家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 得捷 3 美国 22338 立即发货 1 RMB ¥ 税 15.951 14.324 11.513 7.838 7.838 购买 AiPCBA
SI4401BDY-T1-E3 商品编码: BM0209672500 品牌 : VISHAY(威世) 封装 : 8-SO 包装 : 编带 重量 : 0.8g 描述 : 场效应管(MOSFET) 1.5W 40V 8.7A 1个P沟道 SOIC-8 库存: 7338(起订量1,增量1) 批次:2309 数量: X6.72476 按整: 圆盘(1圆盘有2500个) 合计:￥6.72 加入购物车直接购买 梯度 内地(...
类似零件编号 - SI4401BDY-T1-E3 制造商 部件名 数据表 功能描述 Vishay Siliconix SI4401BDY 237Kb / 3P P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Rev. B, 13-Jun-05 SI4401BDY 254Kb / 9P P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Rev. D, 18-May-09 Si4401BDY 187Kb / 8P P-Channel 40-V (D-S) MOSFET...
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