SI4190ADY-T1-GE3 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 8 漏源极电阻 0.0073 Ω 极性 N-Channel 耗散功率 3 W 阈值电压 1.5 V 漏源极电压(Vds) 100 V 连续漏极电流(Ids) 18.4A 上升时间 11 ns 输入电容(Ciss) 1970pF @50V(Vds) ...
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SI4190ADY-T1-GE3 仓库库存编号: SI4190ADY-T1-GE3CT-ND 描述: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO ROHS: 无铅/ 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 详细描述: 表面贴装 N 沟道 18.4A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO ...