品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI4190ADY-T1-GE3 商品编号 C141516 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.245克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 18.4A 导通电阻(RDS(on)) 8.8mΩ@10V,...
型号 SI4190ADY-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SI4190ADY-T1-GE3 封装: SOIC-8 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: ...
型号 SI4190ADY-T1-GE3 AO4294 唯样编号 B-SI4190ADY-T1-GE3-1 A36-AO4294 制造商 Vishay AOS 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET 数据表 si4190ady-107073.pdf SI4190ADY-T1-GE3.pdf AO4294.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Crss(pF) - 11...
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SI4190ADY-T1-GE3 仓库库存编号: SI4190ADY-T1-GE3CT-ND 描述: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO ROHS: 无铅/ 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL): 1(无限) 详细描述: 表面贴装 N 沟道 18.4A(Tc) 3W(Ta),6W(Tc) 8-SO ...
SI4190ADY-T1-GE3由Vishay设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI4190ADY-T1-GE3 价格参考￥ 0 。 Vishay SI4190ADY-T1-GE3 封装/规格: SOT96-1, MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO。你可以下载 SI4190ADY-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细...
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型号 SI4190ADY-T1-GE3 AO4296 唯样编号 B-SI4190ADY-T1-GE3-1 A-AO4296 制造商 Vishay AOS 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET 数据表 si4190ady-107073.pdf SI4190ADY-T1-GE3.pdf AO4296.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Crss(pF) - 12.5...
型号 SI4190ADY-T1-GE3 AO4294 唯样编号 A-SI4190ADY-T1-GE3 A-AO4294 制造商 Vishay AOS 供应商 唯样自营 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET 数据表 si4190ady-107073.pdf SI4190ADY-T1-GE3.pdf AO4294.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Crss(pF) - 11 宽...
型号 SI4190ADY-T1-GE3 AO4294 唯样编号 B-SI4190ADY-T1-GE3-1 A-AO4294 制造商 Vishay AOS 供应商 富昌电子 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET 数据表 si4190ady-107073.pdf SI4190ADY-T1-GE3.pdf AO4294.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Crss(pF) - 11...