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型号: SI4178DY-T1-GE3 批号: 14+ 封装: SOIC-8 数量: 14500 QQ: 3008053304 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 12 A Rds On-漏源导通电阻: ...
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品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 Si4178DY-T1-GE3 商品编号 C75685 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.3克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)12A
High-Performance MOSFET Solution: This SI4178DY-T1-GE3 MOSFET is designed for high-performance applications, offering a reliable and efficient solution for electronic circuits. 30V 12A Power Handling: With a high current rating of 12A and a voltage rating of 30V, this MOSFET can handle demanding...
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