SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-E3 封装SOT-23 N沟道100V/1.15A 深圳市吴优电子有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥1.05 SI2328DS-T1-E3 封装SOT23 场效应管 MOSFET N沟道 全新进口原装 深圳市创盛芯业科技有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.68 ...
SI2328DS-T1-E3 商品编码: BM0000286260 品牌 : VISHAY(威世) 封装 : SOT-23-3(TO-236) 包装 : 编带 重量 : 0.035g 描述 : 场效应管(MOSFET) 730mW 100V 1.15A 1个N沟道 SOT-23 库存: 13447(起订量1,增量1) 批次:23+ 数量: X1.58 按整: 圆盘(1圆盘有3000个) 合计:￥1.58 加入购物车直接...
零件号别名: SI2328DS-E3 单位重量: 8 mg 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等价...
型号: SI2328DS-T1-E3 封装: N/A 批号: 21+/22+ 数量: 5800 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 1.15 A Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms Vgs - ...
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通用MOSFET 1.15A(Ta) N-Channel 250 mOhms @ 1.5A,10V 730mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 100V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2328DS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号B-SI2328DS-T1-E3-1 ...
SI2328DS-T1-E3简述 制造商:Vishay / Siliconix 批号:新批次 描述:MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23 SI2328DS-T1-E3详细参数 SI2328DS-T1-E3价格 其他说明 价格有优势,SI2328DS-T1-E3国内现货当天可发货。 联系微信:18028728293(发型号咨询) Q:16845050...
型号:SI2328DS-T1-E3 类型:其他 品牌:VISHAY 封装:- 状态:在售 技术手册:查看 立即询价 联系我们 电话:0755 82988826 手机:19166208396 Q Q:3628728973 邮箱:3628728973@qq.com 相似产品 BYG23T-M3/TR 品牌:VISHAY / 其他 型号:BYG23T-M3/TR 立即询价详情 ...
MOS(场效应管)/SI2328DS-T1-E3 编带 MOS(场效应管)是一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。 MOS(场效应管)提供全面的电子元器件...