SI2303BDS-T1-E3 场效应管 VISHAY/威世 封装 SOT-23 批号 23+ SI2303BDS-T1-E3 30000 VISHAY/威世 SOT-23 23+ ￥0.3900元500~2999 个 ￥0.3500元3000~5999 个 ￥0.3300元6000~-- 个 深圳市猴顶真电子有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 ...
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si2303场效应管的输入电容CISS一般在350pF至470pF之间,输出电容COSS一般在50pF至100pF之间。这两个参数决定了场效应管的输入和输出响应速度。输入电容越大,输入信号的响应时间越长;输出电容越大,输出信号的响应时间越长。因此,在高频应用中,需要选择具有较小输入和输出电容的场效应管。 五、温度特性 si2303场效应...
Teshile 场效应管 SI2303 3.1A 20V 丝印 A3SHB SOT23 原厂 MOS 深圳市特斯乐电子有限公司8年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.13 原装si2303 sot-23 id=-2a,vds=-30v n沟道 mos场效应管 现货批发 深圳市深联升电子科技有限公司4年 ...
型号 UMW SI2303 封装 SOT-23 最小包装 3K/盘 数量 1000 批号 最新 发货地 深圳 可销售地区 全国 特色服务 一站式配单 产品说明 全新原装 品牌 UMW(友台半导体) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生...
SI2303CDS-T1-GE3 P沟道 MOS场效应管 30V/2.7A 贴片SOT-23 晶体管 SI2303CDS-T1-GE3 6920 VISHAY SOT-23 新年份 ￥0.2000元10~49 个 ￥0.1800元50~99 个 ￥0.1600元100~-- 个 深圳市鸿胜芯电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 SI2303CDS-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装SOT...
si2303场效应管是一种N沟道MOS场效应管,具有低电压驱动、低电阻、低静态功耗、高速开关等特点。它适用于低压驱动的应用,如电源管理、电池充放电保护、DC-DC转换等。 si2303场效应管的第一个参数是最大漏极电流(Id)。最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大漏极电流的数值。在设计电路时,需要根据实际需要选择...
SI2303封装/规格:功率耗散/900mW:充电电量/2nC:反向传输电容Crss/25pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/30V:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.15mm:长x宽/尺寸/3.00 x 1.40mm:原产国家/China:原始制造商/Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.:输入电容/155...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 KEXIN、 科信、 SI2303、 MOS管、 场效应管、 晶体管 商品图片 商品参数 品牌: KEXIN(科信) 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 1.7A 功率(Pd): 1.25W 导通电阻: 200mΩ@10V,1.7A 阈值电压(Vgs(th)...
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