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三极管SI2303参数 PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:-1.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:200MΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.7AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A ...
SI2303 CJ2303 2303 A3SHB SOT23 p沟道 mos管 场效应 三极管 深圳市福田区滨芯电子商行2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.31 原装正品 SI2303CDS-T1-GE3 SOT-23 P沟道 贴片MOSFET场效应管 深圳市亿科源科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI2303CDS-T1-GE3 P沟道 MOS场效应管 30V/2.7A 贴片SOT-23 晶体管 SI2303CDS-T1-GE3 6920 VISHAY SOT-23 新年份 ￥0.2000元10~49 个 ￥0.1800元50~99 个 ￥0.1600元100~-- 个 深圳市鸿胜芯电子有限公司 4年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 ...
si2303场效应管的输入电容CISS一般在350pF至470pF之间,输出电容COSS一般在50pF至100pF之间。这两个参数决定了场效应管的输入和输出响应速度。输入电容越大,输入信号的响应时间越长;输出电容越大,输出信号的响应时间越长。因此,在高频应用中,需要选择具有较小输入和输出电容的场效应管。 五、温度特性 si2303场效应...
si2303场效应管是一种N沟道MOS场效应管,具有低电压驱动、低电阻、低静态功耗、高速开关等特点。它适用于低压驱动的应用,如电源管理、电池充放电保护、DC-DC转换等。 si2303场效应管的第一个参数是最大漏极电流(Id)。最大漏极电流是指场效应管能够承受的最大漏极电流的数值。在设计电路时,需要根据实际需要选择...
SI2303封装/规格:功率耗散/900mW:充电电量/2nC:反向传输电容Crss/25pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/30V:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.15mm:长x宽/尺寸/3.00 x 1.40mm:原产国家/China:原始制造商/Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.:输入电容/155...
SI2303BDS-T1 规格参数 是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99 风险等级:5.81Is Samacsys:N 配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):1.49 A FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0 工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C ...
SI2303品牌厂家:UMW,SI2303渠道分销商:1家,现货库存数量:993 PCS,SI2303价格参考:¥0.211元。UMW SI2303参数(,封装:SOT-23-3),SI2303中文资料和说明书PDF下载,您可以在SI2303规格书Datesheet数据手册中,查到SI2303使用方法,SI2303典型电路教程。SI2303系列中文手册中包含SI2303说明介绍,用户中文手册SI2303手册PD...
si2303场效应管的参数包括:VDS电压范围为-20V至20V,VGS电压范围为-8V至8V,最大漏极电流为2.5A,导通时的漏-源电阻RDS(ON)在0.05Ω至0.08Ω之间,输入电容CISS在350pF至470pF之间,输出电容COSS在50pF至100pF之间,工作温度范围为-55℃至150℃。这些参数决定了场效应管的性能,广泛应用于电源管理、电机驱动等电子...