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型号 SI2301CDS 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI2301CDS 数量: 1000 产品应用: 电子设备 产品类别: 电子元器件 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发...
SI2301CDS-T1-GE3 52000 VISHAY SOT23-3 2018+ ￥0.5000元10~99 个 ￥0.4000元100~999 个 ￥0.3000元>=1000 个 深圳市芯客芯城技术有限公司 6年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 SI2301CDS-T1-GE3 丝印N1** VISHAY 23+ 封装SOT-23 MOS管 SI2301CDS-T1-GE3 ...
品牌名称FUXINSEMI(富芯森美) 商品型号 SI2301CDS 商品编号 C5290223 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.03克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3A
SI2301CDS-T1-GE3 原装进口现货 SOT-23 P-channel 20V 3.1A MOS 深圳市新大康科技有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥295.00 全新原装 SI2301CDS-T1-GE3 SOT-23 P 通道 20 V 3.1A 1.6W 860mW 东莞市岱讯电子科技有限公司 15年 月均发货速度: 暂无记录 广东 东莞...
SI2301CDS-T1-GE3是20VDSTrenchFET®P通道增强模式功率MOSFET,适用于负载开关应用。 无卤素 -55至150°C工作温度范围 应用 工业,电源管理 SI2301CDS-T1-GE3中文参数 通道类型P晶体管配置单 最大连续漏极电流2.3 A最大栅源电压-8 V、+8 V 最大漏源电压20 V每片芯片元件数目1 ...