SI2301B UMW SOT-23 MOS场效应管 分立半导体 晶体管 SI2301B 30250 UMW SOT-23 新年份 ¥2.0000元10~199 PCS ¥1.3000元200~999 PCS ¥0.8000元1000~-- PCS 深圳市瑞芯成电子有限公司 3年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 SI2301 MOSFET或IGBT开关IC 电子元器件 VISHAY/威世 封装SOT-23 批次21+...
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以SI2301应用为例,它在LED照明控制电路中作为电流调节器和开关,它控制LED灯的亮度和颜色温度。当电路中栅极电压高于0.4V时,SI2301管子实现导通,通过输入不同的栅极电压控制LED灯亮度大小。还有, 比如SI2301在智能便捷小风扇、智能电动玩具等小型化应用场景中也大有可为,在电机驱动上,当SI2301栅极电压高于0.4V时...
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SI2301ADS-T1-GE3场效应管的工作原理基于先进的场效应管技术。通过电场调控导电性,实现电流在沟道中的流动。当施加在栅极上的电压改变沟道中的电子浓度,从而控制了电流的通断。SI2301ADS-T1-GE3以其独特的响应速度和高效性在电子元件中表现出色。2.实际应用场景 电源管理系统中的应用SI2301ADS-T1-GE3在电源管理...
SI2301芯片中文规格书一、芯片概述SI2301是一款高性能的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司设计生产。这款芯片以其小巧的SOT23封装、优异的电气性能和广泛的适用性,成为电源管理、电机驱动、LED照明等领域的热门选择。其低导通电阻、高速开关特性和高温稳定性,使其在紧凑型设计中表现出色。二、主要...
SI2301的主要参数如下:晶体管类型:P沟道MOSFET。具有高效率、低功耗和快速响应等特点,适用于电源管理和开关应用。最大功耗:1.25W。在正常工作情况下,该晶体管的最大耗电量不会超过1.25瓦特。栅极门限电压:2.5V。在给定的栅极电压下,MOSFET能够导通并维持导通状态。漏源电压:20V。晶体管的漏源...
SI2301 品牌SANLIANSHENG/三联盛 封装SOT-23 批号25+ 仓库地址深圳 QQ咨询 洽洽咨询 深圳市科鑫电子有限公司 商家资质: 会员 会员年限: 国产1会员2 实体认证: 已认证【查看】 电话: 0755-88353263 Email: 1282274222@qq.com 地址: 公司地址:上步工业区22栋万源大厦517///样品自取地址门市:深圳市福田区华强电子...
概述 SI2301是一种P沟道场效应管。特性 针对极低Rpsios的高密度电池设计 坚固可靠 外壳材料:模制塑料参数 晶体管类型 : P沟道MOSFET 最大功耗PD : 1.25W 栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值) 漏源电压VDS :-20V(极限值) 漏极电流ID:TA=25°时:-2.3A,TA=70°时:-1.5A 通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值...