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SI1304BDL-T1-GE3-VB 99999 VBsemi/微碧半导体 SC70-3 24+ ￥1.0000元10~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 4年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 SI1304BDL-T1-GE3 场效应管 VISHAY 封装SOT-323 批次21+ SI1304BDL-T1-GE3 10066 VISHAY ...
原装正品SI1304BDL-T1-E3丝印KFNAO封装SOT-23三极管(50只起) 深圳市通原微科技有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 全新原装SI1304BDLSI1304BDL-T1-GE3 丝印:KF KFN SOT323 深圳市兆华芯城电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI1304BDL由VBsemi设计生产。SI1304BDL封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/-:阈值电压/-:晶体管类型/N沟道:功率耗散/1.56W:栅极源极击穿电压/±12V:击穿电压/20V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/3Pin:高度/1.10mm:长x宽/尺寸/2.00 x 1.25mm:认证信息/RoHS,HF(halogen free...
SI1304BDL场效应管的工作原理基于场效应调控电流的原理。它主要由沟道、栅极和漏极组成。当在栅极施加电压时，形成的电场将影响沟道中的电子流动，从而调节漏极和源极之间的电流。SI1304BDL的N沟道设计使得电流在其内部被精确调控，实现了高效、稳定的电流传输。这种精密的电场控制机制使得SI1304BDL在各种电子应用中表现卓越...
si1304bdl_新人有礼_型号齐全 -- -- -- -- 面议 深圳市百能信息技术有限公司 -- 立即询价 MOS管场效应 SI1304BDL-T1-GE3 Vishay SOT-323 SI1304BDL-T1-GE3 9百万 Vishay SOT-323 NEW ￥0.5000元1000~2999 个 ￥0.3000元3000~8999 个 ...
SI1304BDL-T1-GE3参数是充分了解场效应管特性的关键因素。SI1304BDL-T1-GE3做为N沟漏源场效应管，具备20V漏源电压和4A持续漏极电流。这些参数直接关系电路中效用管性能。通过对SI1304BDL-T1-GE3性能参数的详细解读，我们能更全面地了解其P沟走电电压、功率以及导电电阻等关键性能指标。三、工作原理及应用 1. 原理...
SI1304BDL-T1-GE3参数是充分了解场效应管特性的关键因素。SI1304BDL-T1-GE3做为N沟漏源场效应管,具备20V漏源电压和4A持续漏极电流。这些参数直接关系电路中效用管性能。通过对SI1304BDL-T1-GE3性能参数的详细解读,我们能更全面地了解其P沟走电电压、功率以及导电电阻等关键性能指标。
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SI1304BDL-T1-GE3-VB 商品编号 C6705299 商品封装 SOT-323 包装方式 编带 商品毛重 0.053115克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)4A ...
型号 SI1304BDL-T1-E3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI1304BDL-T1-E3 封装: SOT323 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 7.5V 长度: 4.9mm 宽度: 7.2mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交...