商品型号:SI1012CR-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT-523-3 数据手册: 商品编号:L103201192 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-523-3 包装 圆盘 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 20V 25℃时电流-连续漏极(Id) 630mA(Ta) 驱动...
型号 SI1012CR-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI1012CR-T1-GE3 封装: SOT523 批号: 11+ 数量: 400 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SC-75-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 600 mA...
爱企查为您提供SI1012CR-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装SC-75A 批次2022+,国丰临科技(深圳)有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。场效应管;场效应管批发;场效应管行情报价;场效应管价格;场效应管底价;场效应管图片;场效应管厂家;场效应管生产厂家;场
SI1012CR-T1-GE3 N-沟道 20 V 0.396 Ohm 0.24 W 表面贴装 Mosfet - SC-75A SI1012CR-T1-GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商: Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code: 2405 Product Specification Section Vishay SI1012CR-T1-GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品...