型号 SI1012CR-T1-GE3 货号 18+ 数据列表 SI1012CR-T1-GE3;标准包装 3,000包装 标准卷带 零件状态 在售类别 分立半导体产品产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单系列TrenchFET® 规格FET 类型 N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss) 20V电流- 连续漏极(Id)(25°C 时) -驱动电压(最大 Rds On,...
SI1012CR-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SI1012CR-T1-GE3、查询SI1012CR-T1-GE3代理商; SI1012CR-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有SI1012CR-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快...
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SI1012CR-T1-GE3 BSS138TA VN10KN3-G FDN5630 NTJS3157NT1G BSH108,215 VN10LFTA FQT7N10LTF ZXMN6A07FTA DMN6068LK3-13 ZXMN2B01FTA VN2110K1-G FDN339AN TN2106K1-G ZXM61N02FTA ZXM61N03FTA SIS412DN-T1-GE3 TN5325K1-G IRLL110TRPBF IRF610PBF BSC120N03...
场效应管(MOSFET)> SI1012CR-T1-GE3 温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准 收藏 对比 1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA SMT扩展库 嘉立创SMT补贴 品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SI1012CR-T1-GE3 商品编号 C388850 商品封装 SC-75A 包装方式
SI1012CR-T1-GE3 N-沟道 20 V 0.396 Ohm 0.24 W 表面贴装 Mosfet - SC-75A SI1012CR-T1-GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商: Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code: 2405 Product Specification Section Vishay SI1012CR-T1-GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品...
SI1012CR-T1-GE3 Type * Brand Name Orginal Package Type Through Hole/Surface Mount Other attributes Mounting Type Through Hole/Surface Mount Description SOT23 Place of Origin China Package / Case Through Hole/Surface Mount Type * Operating Temperature * Series * D/C 24+ Application * Supplier Ty...
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