求助大神关于XPS，中怎么看出来哪个电子能是Cu.Co,Al,Si,O
M. Schneider V. A. Gasparov W. Richter M. Deckwer.XPS studies on oxynitride glasses in the system Si---Al---O---N. Journal of Non crystalline Solids . 1997SCHNEIDER, M.; GASPAROV, V.A.; RITCHER, W.; DECKWERTH, M.; RUSSEL, C.J. XPS studies on oxynitride glasses in the ...
采用激光裂解含Al聚硅氧烷法制备陶瓷涂层,通过扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等手段,分析了激光裂解含Al聚硅氧烷生成物的组成与结构.结果... 赵吉鑫;乔玉林;薛胤昌;梁秀兵 - 《人工晶体学报》 被引量: 0发表: 2017年
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er_2O_3/Al_2O_3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al_2O_3作为势垒层的Er_2O_3与Si界面的电子结构。XPS结果表明,Al_2O_3中Al的2p芯能级峰在低、高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于硅酸铒中的铒,并非全是本征氧化...
结合XRD和XPS的分析可知,当涂层中氧含量较少时,涂层中晶相是以(Cr,Al)N固溶体的形式存在;随着涂层中氧含量进一步增加,涂层内部逐渐向氧化物方向发展。 2.3 涂层的力学性能 不同氧含量涂层的努氏硬度如图6所示。由图6可知,氧含量对涂层的硬度有较大的影响。随氧含量的增加,涂层的硬度呈非线性变化的趋势,硬度值...
在本文中,我们研究了O2沉积后退火(PDA)对金属/ Al2O3 / Si 3N4 / SiO2 / Si(MANOS)器件的影响。 与低能等离子体氧预处理和N2 PDACraft.io相比,O2 PDACraft.io可以显着提高保留率。 改善归因于Al 2O3块状氧化物中氧空位的去除和Si3N4 / Al2O3界面层中的氧结合,这是通过X射线光电子能谱(XPS)深度...
X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) shows the Ti-N bonds, suggesting that the TiN nanocrystals embedded in high-κ Al2O3 films can be formed. A high programming speed of threshold voltage shift (ΔVt) ∼6.7 V @ 0.1 ms can be observed for the TiN nanocrystal memory devices. The ...
在超高真空条件下,通过脉冲激光沉积(PLD)技术制作了Er2O3/Al2O3/Si多层薄膜结构,原位条件下利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Al2O3作为势垒层的Er2O3与Si界面的电子结构.XPS结果表明,Al2O3中Al的2p芯能级峰在低,高温退火前后没有变化;Er的4d芯能级峰来自于...
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此...
Sulfur passivationAtomic layer depositionAluminum oxideSulfur passivation is used to electrically and chemically passivate the silicon–germanium (SiGe) surfaces before and during the atomic layer depositio…[ Kasra SardashtiKai-Ting HuKechao Tang