以下是Si-MOSFET的一些关键特点和优势：高耐压：Si-MOSFET具有高额定电压，能够在高压环境下稳定工作。低导通电阻：Si-MOSFET的导通电阻远小于传统平面MOSFET，能够提供更高的效率和功率密度。高速开关：Si-MOSFET的超级结结构使其具有快速开关特性，适用于高频率应用。可靠性：Si-MOSFET的产品质量可靠，性能稳定，适用于...
微碧半导体的Si-MOSFET系列产品以其先进的生产工艺、优良的性能和可靠的质量在各个领域得到广泛应用。Si-MOSFET适用于电源、电机控制、照明等领域,特别适合于中低功率水平下的高速运行需求。 以下是Si-MOSFET的一些关键特点和优势: 高耐压:Si-MOSFET具有高额定电压,能够在高压环境下稳定工作。 低导通电阻:Si-MOSFET的...
Si MOSFET非常适合高频且开关速度要求高的应用。在开关电源 (SMPS) 中,Si MOSFET的寄生参数至关重要,它决定了转换时间、导通电阻、振铃 (开关时超调) 和背栅击穿等性能,这些都与SMPS的效率密切相关。 作为电源开关,选择的Si MOSFET应该具有极低的导通电阻、低输入电容 (即Miller电容) 以及极高的栅极击穿电压,这个...
一、MOSFET的寄生电容 MOSFET在结构上存在下图所示的寄生电容。下图为N-ch MOSFET的例子,与P-ch的思路相同。这里谈的处理大功率的功率MOSFET,需要理解为限制使用频率和开关速度的参数。 MOSFET的栅极、漏极及源极通过栅极氧化膜被绝缘。另外,漏极-源极间借助衬底(Body/PCB板)形成PN结,存在寄生(Body)二极管。 下图...
此外,可以看到,与150℃时的Si MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。 与IGBT的区别:关断损耗特性
“现代HV应用的需求达到空前规模,而Littelfuse独特的HV分立功率器件系列支持先进的HV应用。Littelfuse广泛的HV分立Si MOSFET产品系列采用创新的HV封装和ISOPLUS™独特封装,具有广泛的市场定位,特别适用于各种应用的AUX电源解决方案,已成为设计工程师开发新型HV应用的首选产品。
Si MOSFET是一直以来应用广泛的半导体功率器件,而SiC MOSFET是近些年应用逐渐广泛的半导体功率器件,二者在多方面特性上具有不同的特点。本文重点讨论一下Si MOSFET和SiC MOSFET在导通电阻上的差异特性。 一、Si MOSFET和SiC MOSFET的导通区域 传统Si MOSFET...
抗辐射分立功率器件:第 1 部分 — Si MOSFET [导读]用于 5G、物联网和其他各种用途的商业天基通信出现了巨大的增长,Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明证。这补充了军事和科学卫星的使用,后者也出现了大幅增长。这些应用所需的半导体功率器件,例如卫星总线电压到终端应用的DC/DC 转换,与地面商业或汽车对应...
总结了在同步整流中有效使用Egan FET的设计考虑:1)Egan FET的“体二极管”正向压降比Si MOSFET高2~3倍,相关的正激二极管导通损耗相应增加;2)Egan FET完全消除反向恢复Q。RR相关损失减少到零。 适用于较高电压的应用(V在……里面=48 V),Q的影响很大。RR对于Si MOSFET的SR损耗,以及Egan FET正向二极管导通损耗的...
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