Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响 描述 引言 我们在蚀刻的硅(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作为钉扎剂。随机吸附模型不会导致小丘的形成,因为单一杂质很容易从表面去除。
为了解决上述技术问题,本创造接受的技术方案为: 一种si(100)晶片上平直的si{111}与si{110}面交线的制备方法,实施步骤包括: 1)预备添加有用于降低面刻蚀速率的添加剂的刻蚀液; 2)将用于制备si{111}与si{110}面交线的si(100)晶片放置在刻蚀液中进行刻蚀,且在刻蚀过程中定时往刻蚀液中补充添加剂使得刻蚀液的...
在章一奇特聘研究员和Barth教授共同指导下，慕尼黑工业大学物理系博士后杨标和博士生Martin Uphoff首先在超高真空环境制备出原子级平整非重构FeSi(110)单晶表面（图1）。通过扫描隧道显微镜在原子尺度的结构表征并结合密度泛函理论计算，确定了FeSi(110)具有包含铁-硅原子对的特定截止面（图2）。利用扫描隧道谱对无缺陷...
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110晶面就是指平行于晶轴c,在a,b轴截数相等的晶面.100晶面就是平行于b,c两个晶轴,在a轴截数为任意值的晶面.111晶面就是在a,b,c三个晶轴上的截数都相等的晶面.需注意的是:例如110晶面并不单是指一个平面,在晶体中所有和它平行的平面都具有相同的指标(所有平行面的截数的倒数的最简比一定是相同的)....
结合实验结果,当 \mathbf{B} 沿<110>方向实验可观察到两个吸收峰, m^*_x+m^*_y,m^*_x+m^*_z,m^*_y+m^*_z 中有两个量是相等的。 (d)其他方向, \alpha^2,\beta^2,\gamma^2 会有三组不同的取值,从而\omega_c=qB\sqrt{\frac{m^*_x\alpha^2+m^*_y\beta^2+m^*_z\gamma^2}{...
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