Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK
Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK 型号参数 高输出功率:Psat=54.0dBm(典型值) 高增益:Gp=10dB...
Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK 型号参数 高输出功率:Psat=54.0dBm(典型值) 高增益:Gp=10dB...
Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK 型号参数 高输出功率:Psat=54.0dBm(典型值) 高增益:Gp=10d...