SGC8598-200B-R 型号简介 Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 ...
SGC8598-200B-R 型号简介 Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK 型号参数 高输出功率:Psat=54.0...
Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK 型号参数 高输出功率:Psat=54.0dBm(典型值) 高增益:Gp=10dB...
型号: SGC8598-200A-R 封装: IC 批号: 22+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 9V 长度: 3.6mm 宽度: 6.7mm 高度: 1.2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
Sumitomo的SGC8598-200A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段,以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK
Sumitomo的SGC8598-100B-R是一种高功率GaN HEMT与X波段雷达波段匹配,以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC8598-100B-R名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管产地 日本封装IK 型号参数高输出功率:Psat=51.0dBm(典型值)高增益:Gp=10.0dB(典型值...
型号SGC8598-50B-R 名称IMFET GaN氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IK 型号参数 高输出功率:Psat=48.0dBm(典型值) 高增益:Gp=11.0dB(典型值) 高功率附加效率:PAE=41%(典型值) 宽带:8.5至9.8GHz 阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆 密封包装 相关型号 SGC5259-400B-R ...
SGC8598-50B-R SGC0910-200B-R SGK1314-30B FS/F658-8598-200A-R ES/SGM6801V1M SGM6906VU SGC1011-300B-R SGC8595-300B-R FS/EB/SGM6901VU SGC0910-300B-R SGK1314-60B SGM6901VU SGK5867-20A SGK1314-30A SGN2933-600D-R 为你推荐
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