SGC0910-300A-R 型号简介 Sumitomo的SGC0910-300A-R是一种高功率GaN HEMT,内部匹配X波段雷达波段,在50Ω系统中提供最佳功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Eudyna 型号SGC0910-300A-R 名称 用于雷达的功率GaN>GaN HEMT>C/X 产地 日本 封装SMT ...
SGC0910-200B-R 型号简介 Sumitomo的SGC0910-200B-R是一种高功率GaN HEMT与X波段雷达波段匹配,以提供最佳功率和增益在50欧姆的系统中。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC0910-200B-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 ...
【数据手册】SGC0910-200A-R X-band Internally Matched GaN-HEMT 【数据手册】SGC9395-300A-R X-band Internally Matched GaN-HEMT 【数据手册】SGC5259-300A-R C-band Internally Matched GaN-HEMT Sumitomo Electric Exhibits at OFC2019 The Sumitomo Electric Group Policy on Human Rights Sumitomo Electric...
Sumitomo的SGC0910-300B-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配X波段雷达波段,提供最佳50欧姆系统中的功率和增益。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGC0910-300B-R名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管产地 日本封装IK 型号参数高输出功率:Psat=55.3dBm(典型值)高增益:Gp=9.3dB(典型值)高...