Si与SF6的反应可以简化为以下几个关键步骤: 3.1 氧化反应 首先,硅(Si)会与氧气(O2)发生氧化反应,生成SiO2(二氧化硅)。 反应方程式:Si+O2→SiO2 3.2 SiO2与HF的反应 生成的SiO2会与氢氟酸(HF)进行反应,生成SiF4(四氟化硅)和H2O(水)。 反应方程式:SiO2+4HF→SiF4+2H2O 3.3 SiF4与SF6的反应 得到的SiF4会与硫...
由于XeF2和SF6刻蚀硅不同的机理,因此在选择掩蔽层也有不同的方案。XeF2在与Si和SiO2纯化学反应的刻蚀选择比大于1000 : 1,而SF6在与Si和SiO2的RIE刻蚀选择一般小于100 : 1。这就意味在深刻硅的工艺中, XeF2可以根据选择比选择合适厚度的SiO2的作为单一掩蔽层,而SF6一般不能...
是因为SF6在电弧下分解，易与硅脂起化学反应，生成 SiF4 、 Si （ CH3 ） 2F 2 等有毒物质。我是搞SF6断路器的，我们现在还是使用硅脂的，主要用在密封环节，没有什么大的危险，只是很多供电部门将这条写进了规程，所以大家都这么讲，我可以负责地告诉你，所有SF6开关生产厂家都使用硅脂。
icp增大相当于变相的降低rf纵向刻蚀有些变化但已经趋于饱和相对于改变rf改变icp对横向刻蚀无明显变化 探索RF、ICP 的变化对 SF6 刻蚀 Si 的影响 Recipe SF6 Pressure (mTorr) 5 5 5 RF (W) 10 30 50 ICP (W) 150 150 150 Temp (℃) 20 20 20 Time (min) 1.5 1.5 1.5 He (Torr) 10 10 10 run...
探索RF、 ICP 的变化对 SF6 刻 Recipe run (sccmSF61 2 2 2 3 2 1 2 4 2 5 2 Run1 RF=10 ICP=150 Run2 RF=30 ICP=150 刻蚀 Si 的影响 6 Pressure RF ICPTempTimeHe m) (mTorr)(W)(W)(℃)(min)(Torr)5 10 15020 1.5 10 5 30 15020 1.5 10 5 50 15020 1.5 10 5 10 15020 1.5...
西门子SF6高压断路器课件
型式试验应在长约20米的GIL样机上进行，以确保在工频AC、雷电LI和操作SI三种标准试验电压波下，20米长GIL的绝缘要求得到满足。现场试验则应在300至1000米长度的GIL段上进行，同样施加这三种标准电压波，但电压水平(UES)应低于型式试验，推荐施加UES= Uw。在现场试验过程中，对于GIL的LI试验，需要综合考虑电压优化。
( 5 )电器设备内的 六氟化硫(SF6) 气体及分解物与绝缘材料反应而生成某些有毒产物。如与含有硅成分的环氧酚醛玻璃丝布板(棒、管)等绝缘件;或以石英砂、玻璃作填料的环氧树脂浇注件、模压件以及瓷瓶、硅橡胶、硅脂等起化学作用,生成 SiF4 、 Si ( CH3 ) 2F 2 等产物。
首先发生表面吸附:Si(s)+ F• → Si-F(ads),该步骤遵循Langmuir吸附模型。当氟覆盖率达到65%时进入主反应阶段:Si-F(ads)+ 3F• →SiF₄↑,此时刻蚀速率的温度系数达到0.35nm/°C。末段反应受离子辅助效应主导,600-800eV的Ar⁺轰击可提升侧壁垂直度22%。 三、 通过DOE实验设计发现,当SF₆/He...
5、电器设备内的六氟化硫气体及分解物与绝缘材料反应而生成某些有毒产物。如与含有硅成分的环氧酚醛玻璃丝布板(棒、管)等绝缘件;或以石英砂、玻璃作填料的环氧树脂浇注件、模压件以及瓷瓶、硅橡胶、硅脂等起化学作用,生成SiF4、Si(CH3)2F2等产物。