SF6和SiO2的反应是一种特殊的化学反应,它以下列反应方程式进行: 2SiO2 + 3SF6 6SiF4 + 2SO2 其中,SiO2是一种热稳定性极强的无毒气体,它容易积累在大气层中,对环境造成污染。而SF6是一种极为稳定的强效温室气体,它可以被用来增强大气温度,并导致全球变暖。 反应机理:当SiO2与SF6混合并受到高温条件时,产生熔融...
SF6与SIO2反应是一种化学反应,当SF6与SIO2混合反应时会生成一种确切的产物。SF6与SIO2反应主要是以蒸汽使反应物反应,当SF6接触到SIO2时,SIO2因其硅酸根将SF6分解成硫原子和六个氟原子。该反应主要受温度,压力,溶液浓度等因素的影响,其反应机理是溶质的崩解和结合反应。 SF6与SIO2反应会发生一种确切的物质变化,该反...
一、六氟化硫刻蚀氧化硅介质的物理原理 六氟化硫(SF6)在真空和高频电场的作用下形成等离子体,这种等离子体可以将氧化硅层表面的SiO2分离出来,从而实现刻蚀的目的。在刻蚀过程中,SF6分子和氧化硅表面的SiO2反应生成SO2气体和二氧化硅,SO2气体再和更多的SF6分子反应,生成更多的等离子体...
摘要:本发明公开了一种利用SF6废气等离子体刻蚀SiO2的系统与方法。所述系统中的洗气室、稀释气体压缩室通过流量计和电磁阀与混气室相连,并与放电室相连,放电室分别又与S沉积室、缓冲气室连接,缓冲气室与与吸收室、收集气瓶(SiF4)及Ar稀释气体压缩室相连接。应用本发明可以首先对SF6废气进行初步洗涤,之后根据降解需求形...
XeF2在与Si和SiO2纯化学反应的刻蚀选择比大于1000 : 1,而SF6在与Si和SiO2的RIE刻蚀选择一般小于100 : 1。这就意味在深刻硅的工艺中, XeF2可以根据选择比选择合适厚度的SiO2的作为单一掩蔽层,而SF6一般不能作为DRIE的单一掩蔽层,需要与光刻胶形成复合掩蔽层。
(1)电极表面镀纳米级SiO2薄膜能有效改善表面粗糙度,使得电极更加平整,且表面结合能也会发生改变,能一定程度抑制二次电子发射。 (2)铜电极表面镀SiO2薄膜能有效提升SF6气体间隙的击穿电压,但在铝电极表面镀SiO2薄膜无法提升间隙击穿电压,...
⑤CH4中氢原子最外层有1+1=2个电子,不满足8电子稳定结构; ⑥SiO2中硅原子最外层有4+2×2=8个电子,氧原子最外层有6+2=8个电子,满足8电子稳定结构; ⑦CF2Cl2中碳原子最外层有4+4=8个电子,氟原子最外层有7+1=8个电子,氯原子最外层有7+1=8个电子,满足8电子稳定结构; 故答案为D。反馈...
首先,硅(Si)会与氧气(O2)发生氧化反应,生成SiO2(二氧化硅)。 反应方程式:Si+O2→SiO2 3.2 SiO2与HF的反应 生成的SiO2会与氢氟酸(HF)进行反应,生成SiF4(四氟化硅)和H2O(水)。 反应方程式:SiO2+4HF→SiF4+2H2O 3.3 SiF4与SF6的反应 得到的SiF4会与硫六氟化物(SF6)反应,生成反应产物。 反应方程式:SiF4+2SF6...
由于XeF2和SF6刻蚀硅不同的机理,因此在选择掩蔽层也有不同的方案。XeF2在与Si和SiO2纯化学反应的刻蚀选择比大于1000 : 1,而SF6在与Si和SiO2的RIE刻蚀选择一般小于100 : 1。 这就意味在深刻硅的工艺中, XeF2可以根据选择比选择合适厚度的SiO2的作为单一掩蔽层,而SF6一般不能作为DRIE的单一掩蔽层,需要与光刻胶形...
SiO2+SF4→SiF4+SO2 SiO2+SOF2→SiF4+2SO2 密封胶受到腐蚀的同时,也会分解出水分,水分的增加,也加速了SF6气体的分解,SO2和H2O有了明显增加。SF6气体的分解使其绝缘特性变弱,而放电能量随配合间隙增大而变强的同时,使一部分密封胶碳化变黑,密封胶的碳化颗粒和SiF4颗粒附着在下法兰盘内部、绝缘拉杆和动触头接触连...