SEM原理 SEM總類 SEM分析注意事項 FE-SEM SEM構造 電子束激發薄膜可能情況 入射電子試片所產生的訊號可分為X光一、電子訊號(1)未散射電子可見光二次電子(2)散射電子：彈性、非彈性反射和穿透電歐傑電子子及被吸收電子(3)激發電子：二次電子及歐傑電子(Augerelector)二、電磁波訊號(1)X光射線：特性及...
当样品原子的核外电子受入射电子激发获得了大于临界电离的能量后，便脱离原子核的束缚，变成自由电子，其中那些处在样品表层而且能量大于材料逸出功的自由电子就可能从表面逸出成为真空中的自由电子，即二次电子。背散射电子 背散射电子也称为初级背散射电子，是指受到固体样品原子的散射之后又被反射回来的部分入射电子。
二次電子-二次電子檢測器主要用於觀察樣品相關的表面結構。 該檢測器將樣品表面反射的電子轉換為可以在監視器上以圖像形式查看的信號。 然後,可以根據需要將這些圖像作為照片拍攝。 SEM圖像和“捕獲的”照片是灰度外觀,與彩色不同,因為感測到的電子實際上超出了光譜範圍。 反向散射背向散射檢測器的工作原理與二次電...
試樣受到電子束照射,即自試樣表面發生二次電子、反射電子、吸收電子、穿透電子、陰極螢光及X射線等各種量子。 這些量子的發生率,因試樣被照射點的幾何形狀、構成物質及其他物理性質而異,因此電子束之照射點在試樣表面上掃描時,如果試樣表面形狀性質等情況有所變化,則自試樣所產生的量子發生量也會隨之而變。 此量 6...
由於二次電子產生的數量,會受到試片表面起伏狀況影響,所以二次電子影像可觀察出試片表面之形貌特徵。 背向散射電子(Backscattered Electrons,BE)又稱反射電子: 入射電子與試片子發生彈性碰撞,而逃離試片表面的高能量電子,其動能等於或略小於入射電子的能量。由於背向散射電子產生於距試片表面約5000?的深度範圍內,...
➢當在真空中時電子由電子槍射出而行成一電子束，由此電子槍所發射出來的電子束，經過電子透鏡系統，行程一直徑細小的電子探束而照射在試樣表面上。➢試樣受到電子束照射，即自試樣表面發生二次電子、反射電子、吸收電子、穿透電子、陰極螢光及X射線等各種量子。➢這些量子的發生率，因試樣被照射點的幾何形狀、...
➢試樣受到電子束照射，即自試樣表面發生二次電子、反射電子、吸收電子、穿透電子、陰極螢光及X射線等各種量子。➢這些量子的發生率，因試樣被照射點的幾何形狀、構成物質及其他物理性質而異，因此電子束之照射點在試樣表面上掃描時，如果試樣表面形狀性質等情況有所變化，則自試樣所產生的量子發生量也會隨之而變。...
形貌衬度原理 非金属样品多水样品粉末样品样品桩导电胶导电膜双面胶带乳白胶金属样品常规常规SEISEI观察样品的制备观察样品的制备 A区 C区 B区样品组成相原子序数差别大存在元素偏析样品表面平整(抛光处理) 反射電子組成像試料:鋳鉄撮影倍率;×300 反射電子凸凹像試料:鋳鉄撮影倍率;×300 日本電子反射電子検出器の...