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SCT3030ALGC11品牌厂家:ROHM Semiconductor(罗姆半导体),SCT3030ALGC11渠道分销商:5家,现货库存数量:20 PCS,SCT3030ALGC11价格参考:¥73.729元。ROHM Semiconductor(罗姆半导体) SCT3030ALGC11参数(TO-247-3,封装:TO-247-3),SCT3030ALGC11中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(15页,1095KB),您可以在SCT...
型号 SCT3030ALHRC11 封装 TO-247-3 批次 22+ 产品类目 SiC(碳化硅)功率器件 电压 650V 电流 70A 总功耗W 262 产品特点 低导通电阻、高速开关 应用领域 电源、汽车、铁路、工业设备、服务 品牌 ROHM罗姆 数量 8514 通用标准 AEC-Q115(汽车级) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
部件名SCT3030AL 下载SCT3030AL下载 文件大小736.49 Kbytes 页14 Pages 制造商ROHM [Rohm] 网页http://www.rohm.com 标志 功能描述N-channelSiCpowerMOSFET 类似零件编号 - SCT3030AL 制造商部件名数据表功能描述 RohmSCT3030AR 937Kb/13PN-channel SiC power MOSFET ...
SCT3030AL is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed. Data SheetBuy *Sample * * This is a standard-grade product. For Automotive usage, please contact Sales. ...
SCT3030ALHRC11由ROHM(罗姆)设计生产,立创商城现货销售。SCT3030ALHRC11价格参考￥83.9。ROHM(罗姆) SCT3030ALHRC11参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):70A;导通电阻(RDS(on)):39mΩ@18V,27A;耗散功率(Pd):262W;阈值电压(Vgs(th)):5
SCT3030ALHR 650V, 70A, THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3030ALHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed. ...
制造商编号SCT3030ALGC11 制造商ROHM(罗姆) 授权代理品牌 唯样编号A-SCT3030ALGC11 供货自营 产品周期 量产中 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 SCT3030AL Series 650 V 70 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N 数据手册发送到邮箱
型号 SCT3030ALGC11 技术参数 品牌: Roh/罗姆 型号: SCT3030ALGC11 批号: 24+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 8.5V 长度: 5.6mm 宽度: 5.8mm 高度: 1.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交...
型号 SCT3030AL 技术参数 品牌: Roh/罗姆 型号: SCT3030AL 批号: 24+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 8V 长度: 8.3mm 宽度: 7.2mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因...